מאַטעריאַל סטרוקטור און פּראָפּערטיעס פון סינטערעד סיליציום קאַרבידע אונטער אַטמאַספעריק דרוק

【קיצער באַשרייַבונג 】 אין מאָדערן C, N, B און אנדערע ניט-אַקסייד הויך-טעק ראַפראַקטערי רוי מאַטעריאַלס, אַטמאַספעריק דרוק סינטערעדסיליציום קאַרבידעאיז ברייט און שפּאָרעוודיק, און קענען זיין געזאָגט צו זיין עמערי אָדער ראַפראַקטערי זאַמד. רייןסיליציום קאַרבידעאיז בלאַס טראַנספּעראַנט קריסטאַל. אַזוי וואָס איז די מאַטעריאַל סטרוקטור און קעראַקטעריסטיקס פוןסיליציום קאַרבידע?

 

מאַטעריאַל סטרוקטור פון אַטמאַספעריק דרוק סינטערעדסיליציום קאַרבידע:

דער אַטמאָספערישער דרוק האָט זיך צעמישטסיליציום קאַרבידעגעניצט אין אינדוסטריע איז ליכט געל, גרין, בלוי און שוואַרץ לויט די טיפּ און אינהאַלט פון ימפּיוראַטיז, און די ריינקייַט איז אַנדערש און די דורכזעיקייַט איז אַנדערש. די סיליציום קאַרבידע קריסטאַל סטרוקטור איז צעטיילט אין זעקס-וואָרט אָדער דימענט שייפּט פּלוטאָניום און קוביק פּלוטאָניום-סיק. פּלוטאָניום-סיק פארמען אַ פאַרשיידנקייַט פון דיפאָרמיישאַן רעכט צו דער פאַרשידענע סטאַקינג סדר פון טשאַד און סיליציום אַטאָמס אין די קריסטאַל סטרוקטור, און מער ווי 70 מינים פון דיפאָרמיישאַן זענען געפֿונען. ביתא-סיק קאַנווערץ צו אַלף-סיק העכער 2100. די ינדאַסטריאַל פּראָצעס פון סיליציום קאַרבידע איז ראַפינירט מיט הויך-קוואַליטעט קוואַרץ זאַמד און נאַפט קאָקס אין אַ קעגנשטעל אויוון. ראַפינירט סיליציום קאַרבידע בלאַקס זענען קראַשט, זויער-באַזע רייניקונג, מאַגנעטיק צעשיידונג, זיפּונג אָדער וואַסער סעלעקציע צו פּראָדוצירן אַ פאַרשיידנקייַט פון פּאַרטאַקאַל גרייס פּראָדוקטן.

 

מאַטעריאַל טשאַראַקטעריסטיקס פון אַטמאַספעריק דרוקסינטערעד סיליציום קאַרבידע:

סיליציום קאַרבידע האט גוט כעמישער פעסטקייַט, טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט, טראָגן קעגנשטעל, אַזוי אין אַדישאַן צו אַברייסיוו נוצן, עס זענען פילע ניצט: פֿאַר בייַשפּיל, די סיליציום קאַרבידע פּודער איז קאָוטאַד אויף די ינער וואַנט פון די טערביין ימפּעללער אָדער צילינדער בלאָק מיט אַ ספּעציעל פּראָצעס, וואָס קענען פֿאַרבעסערן די טראָגן קעגנשטעל און פאַרברייטערן די לעבן פון 1 צו 2 מאל. געמאכט פון היץ-קעגנשטעליק, קליין גרייס, ליכט וואָג, הויך שטאַרקייַט פון הויך-מיינונג ראַפראַקטערי מאַטעריאַלס, ענערגיע עפעקטיווקייַט איז זייער גוט. נידעריק-מיינונג סיליציום קאַרבידע (אַרייַנגערעכנט וועגן 85% סיק) איז אַ ויסגעצייכנט דעאָקסידיזער פֿאַר ינקריסינג סטילמייקינג גיכקייַט און לייכט קאַנטראָולינג כעמישער זאַץ צו פֿאַרבעסערן שטאָל קוואַליטעט. אין דערצו, אַטמאַספעריק דרוק סינטערעד סיליציום קאַרבידע איז אויך וויידלי געניצט אין די פּראָדוצירן פון עלעקטריקאַל טיילן פון סיליציום טשאַד ראַדז.

סיליציום קאַרבידע איז זייער שווער. מאָרס כאַרדנאַס איז 9.5, רגע בלויז צו דער וועלט 'ס שווער דימענט (10), איז אַ סעמיקאַנדאַקטער מיט ויסגעצייכנט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, קענען אַנטקעגנשטעלנ אַקסאַדיישאַן אין הויך טעמפּעראַטורעס. סיליציום קאַרבידע האט לפּחות 70 קריסטאַליין טייפּס. פּלוטאָניום-סיליציום קאַרבידע איז אַ פּראָסט יסאָמער וואָס פארמען ביי טעמפּעראַטורעס העכער 2000 און האט אַ כעקסאַגאַנאַל קריסטאַליין סטרוקטור (ענלעך צו wurtzite). סינטערעד סיליציום קאַרבידע אונטער אַטמאַספעריק דרוק

 

אַפּפּליקאַטיאָן פוןסיליציום קאַרבידעאין סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע

די סיליציום קאַרבידע סעמיקאַנדאַקטער קייט דער הויפּט כולל סיליציום קאַרבידע הויך-ריינקייַט פּודער, איין קריסטאַל סאַבסטרייט, עפּיטאַקסיאַל בויגן, מאַכט קאַמפּאָונאַנץ, מאָדולע פּאַקקאַגינג און וואָקזאַל אַפּלאַקיישאַנז.

1. איין קריסטאַל סאַבסטרייט איין קריסטאַל סאַבסטרייט איז אַ סעמיקאַנדאַקטער סופּפּאָרטינג מאַטעריאַל, קאַנדאַקטיוו מאַטעריאַל און עפּיטאַקסיאַל גראָוט סאַבסטרייט. דערווייַל, די גראָוט מעטהאָדס פון SiC איין קריסטאַל אַרייַננעמען פיזיש פארע אַריבערפירן אופֿן (PVT אופֿן), פליסיק פאַסע אופֿן (LPE אופֿן) און הויך טעמפּעראַטור כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אופֿן (HTCVD אופֿן). סינטערעד סיליציום קאַרבידע אונטער אַטמאַספעריק דרוק

2. עפּיטאַקסיאַל בויגן סיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל בויגן, סיליציום קאַרבידע בויגן, איין קריסטאַל פילם (עפּיטאַקסיאַל שיכטע) מיט דער זעלביקער ריכטונג ווי די סאַבסטרייט קריסטאַל וואָס האט זיכער באדערפענישן פֿאַר די סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט. אין פּראַקטיש אַפּלאַקיישאַנז, ברייט-באַנד ריס סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס זענען כּמעט אַלע מאַניאַפאַקטשערד אין די עפּיטאַקסיאַל שיכטע, און די סיליציום שפּאָן זיך איז בלויז געניצט ווי די סאַבסטרייט, אַרייַנגערעכנט די סאַבסטרייט פון GaN עפּיטאַקסיאַל שיכטע.

3. הויך-ריינקייט סיליציום קאַרבידע פּודער הויך-ריינקייַט סיליציום קאַרבידע פּודער איז די רוי מאַטעריאַל פֿאַר די גראָוט פון סיליציום קאַרבידע איין קריסטאַל דורך פּווט אופֿן, און די ריינקייַט פון די פּראָדוקט גלייַך אַפעקץ די וווּקס קוואַליטעט און עלעקטריקאַל טשאַראַקטעריסטיקס פון סיליציום קאַרבידע איין קריסטאַל.

4. די מאַכט מיטל איז אַ ברייט-באַנד מאַכט געמאכט פון סיליציום קאַרבידע מאַטעריאַל, וואָס האט די טשאַראַקטעריסטיקס פון הויך טעמפּעראַטור, הויך אָפטקייַט און הויך עפעקטיווקייַט. לויט די אַפּערייטינג פאָרעם פון די מיטל, די SiC מאַכט צושטעלן מיטל דער הויפּט כולל אַ מאַכט דייאָוד און אַ מאַכט באַשטימען רער.

5. טערמינאַל אין דריט-דור סעמיקאַנדאַקטער אַפּלאַקיישאַנז, סיליציום קאַרבידע סעמיקאַנדאַקטערז האָבן די מייַלע פון ​​זיין קאַמפּלאַמענטשי צו גאַליום ניטריד סעמיקאַנדאַקטערז. רעכט צו דער הויך קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט, נידעריק באַהיצונג קעראַקטעריסטיקס, לייטווייט און אנדערע אַדוואַנטידזשיז פון SiC דעוויסעס, די פאָדערונג פון די דאַונסטרים אינדוסטריע האלט צו פאַרגרעסערן, און עס איז אַ גאַנג צו פאַרבייַטן SiO2 דעוויסעס.