ווי איינער פון די הויפּט קאַמפּאָונאַנץ פוןMOCVD ויסריכט, גראַפיטע באַזע איז דער טרעגער און באַהיצונג גוף פון די סאַבסטרייט, וואָס גלייך דיטערמאַנז די יונאַפאָרמאַטי און ריינקייַט פון די פילם מאַטעריאַל, אַזוי די קוואַליטעט איז גלייַך אַפעקץ דער צוגרייטונג פון די עפּיטאַקסיאַל בויגן, און אין דער זעלביקער צייט מיט די פאַרגרעסערן פון די נומער פון ניצט און די ענדערונג פון אַרבעט טנאָים, עס איז זייער גרינג צו טראָגן, בילאָנגינג צו די קאָנסומאַבלעס.
כאָטש גראַפייט האט ויסגעצייכנט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און פעסטקייַט, עס האט אַ גוט מייַלע ווי אַ באַזע קאָמפּאָנענט פוןMOCVD ויסריכט, אָבער אין די פּראָדוקציע פּראָצעס, גראַפייט וועט קעראָוד די פּודער רעכט צו דער רעזאַדו פון קעראָוסיוו גאַסאַז און מעטאַלליק אָרגאַניקס, און די דינסט לעבן פון די גראַפיטע באַזע וועט זיין זייער רידוסט. אין דער זעלביקער צייַט, די פאַלינג גראַפייט פּודער וועט פאַרשאַפן פאַרפּעסטיקונג צו די שפּאָן.
די ימערדזשאַנס פון קאָוטינג טעכנאָלאָגיע קענען צושטעלן ייבערפלאַך פּודער פיקסיישאַן, פאַרבעסערן טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און יקוואַלייז היץ פאַרשפּרייטונג, וואָס איז געווארן די הויפּט טעכנאָלאָגיע צו סאָלווע דעם פּראָבלעם. גראַפיטע באַזע איןMOCVD ויסריכטנוצן סוויווע, גראַפייט באַזע ייבערפלאַך קאָוטינג זאָל טרעפן די פאלגענדע קעראַקטעריסטיקס:
(1) די גראַפיטע באַזע קענען זיין גאָר אלנגעוויקלט, און די געדיכטקייַט איז גוט, אַנדערש די גראַפייט באַזע איז גרינג צו קעראָוד אין די קעראָוסיוו גאַז.
(2) די קאָמבינאַציע שטאַרקייַט מיט די גראַפייט באַזע איז הויך צו ענשור אַז די קאָוטינג איז נישט גרינג צו פאַלן אַוועק נאָך עטלעכע הויך טעמפּעראַטור און נידעריק טעמפּעראַטור סייקאַלז.
(3) עס האט גוט כעמישער פעסטקייַט צו ויסמיידן קאָוטינג דורכפאַל אין הויך טעמפּעראַטור און קעראָוסיוו אַטמאָספער.
סיק האט די אַדוואַנטידזשיז פון קעראָוזשאַן קעגנשטעל, הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל און הויך כעמישער פעסטקייַט, און קענען אַרבעט געזונט אין GaN עפּיטאַקסיאַל אַטמאָספער. אין אַדישאַן, די טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט פון סיק דיפערז זייער קליין פון די פון גראַפייט, אַזוי סיק איז די בילכער מאַטעריאַל פֿאַר די ייבערפלאַך קאָוטינג פון גראַפייט באַזע.
דערווייַל, דער פּראָסט SiC איז דער הויפּט 3C, 4H און 6H טיפּ, און די SiC ניצט פון פאַרשידענע קריסטאַל טייפּס זענען אַנדערש. פֿאַר בייַשפּיל, 4H-SiC קענען פּראָדוצירן הויך-מאַכט דעוויסעס; 6H-SiC איז די מערסט סטאַביל און קענען פּראָדוצירן פאָטאָעלעקטריק דעוויסעס; ווייַל פון זיין ענלעך סטרוקטור צו GaN, 3C-SiC קענען ווערן גענוצט צו פּראָדוצירן GaN עפּיטאַקסיאַל שיכטע און פּראָדוצירן SiC-GaN רף דעוויסעס. 3C-SiC איז אויך קאַמאַנלי באקאנט וויβ-סיק, און אַ וויכטיק נוצן פוןβ-SiC איז ווי אַ פילם און קאָוטינג מאַטעריאַל, אַזויβ-SiC איז דערווייַל דער הויפּט מאַטעריאַל פֿאַר קאָוטינג.
פּאָסטן צייט: נאוועמבער-06-2023