סיליציום ניטריד בונדעד סיליציום קאַרבידע קוואַדראַט שטראַל

קורץ באַשרייַבונג:

Si3N4 בונדיד סיק ווי אַ נייַ טיפּ ראַפראַקטערי מאַטעריאַל, איז וויידלי געניצט. די אַפּלייינג טעמפּעראַטור איז 1400 C. עס האט בעסער טערמאַל פעסטקייַט, טערמאַל קלאַפּ, וואָס איז בעסער ווי קלאָר ראַפראַקטערי מאַטעריאַל.-אַקסאַדיישאַן, הויך קעראָוזשאַן קעגנשטעליק, טראָגן-קעגנשטעליק, הויך בענדינג שטאַרקייַט.


פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

描述

סיליציום ניטריד בונד סיליציום קאַרבידע

Si3N4 בונדיד סיק סעראַמיק ראַפראַקטערי מאַטעריאַל, איז געמישט מיט הויך ריין סיק פייַן פּודער און סיליציום פּודער, נאָך צעטל קאַסטינג קורס, רעאַקציע סינטערד אונטער 1400 ~ 1500 ° C.בעשאַס די סינטערינג קורס, פילונג די הויך ריין ניטראָגען אין די אויוון, דער סיליציום וועט רעאַגירן מיט ניטראָגען און דזשענערייט Si3N4, אַזוי Si3N4 באָנדעד סיק מאַטעריאַל איז קאַמפּאָוזד פון סיליציום ניטרידע (23%) און סיליציום קאַרבידע (75%) ווי הויפּט רוי מאַטעריאַל , געמישט מיט אָרגאַניק מאַטעריאַל, און שייפּט דורך געמיש, יקסטרוזשאַן אָדער פּאָרינג, דעמאָלט געמאכט נאָך דריינג און ניטראָגעניזאַטיאָן.

 

特点

פֿעיִקייטן און אַדוואַנטידזשיז:

1.Hהויך טעמפּעראַטור טאָלעראַנץ
2.היגה טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און קלאַפּ קעגנשטעל
3.היגה מעטשאַניקאַל שטאַרקייַט און אַברייזשאַן קעגנשטעל
4.עקסעלענט ענערגיע עפעקטיווקייַט און קעראָוזשאַן קעגנשטעל

מיר צושטעלן הויך קוואַליטעט און פּינטלעכקייַט מאַשינד NSiC סעראַמיק קאַמפּאָונאַנץ וואָס פּראָצעס דורך

1.צעטל קאַסטינג
2.עקסטרודינג
3.וני אַקסיאַל דרינגלעך
4.יסאָסטאַטיק דרינגלעך

מאַטעריאַל דאַטאַשעעט

> כעמישער זאַץ Sic 75%
Si3N4 ≥23%
Free Si 0%
פאַרנעם געדיכטקייַט (ג/cm3) 2.702.80
קלאָר פּאָראָסיטי (%) 1215
בייגן שטאַרקייַט ביי 20 ℃ (מפּאַ) 180190
בייגן שטאַרקייַט ביי 1200 ℃ (מפּאַ) 207
בייגן שטאַרקייַט ביי 1350 ℃ (מפּאַ) 210
קאַמפּרעסיוו שטאַרקייַט ביי 20 ℃ (מפּאַ) 580
טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי ביי 1200 ℃ (וו/מק) 19.6
טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט ביי 1200 ℃ (רענטגענ 10-6 /C) 4.70
טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל ויסגעצייכנט
מאַקס.טעמפּעראַטור (℃) 1600
1
微信截图_20230705142650

  • פֿריִער:
  • ווייַטער: