אונדזער פירמע גיטSiC קאָוטינגפּראָצעס סערוויסעס אויף דער ייבערפלאַך פון גראַפיט, קעראַמיק און אַנדערע מאַטעריאַלן דורך CVD מעטאָד, אַזוי אַז ספּעציעלע גאַזן וואָס אַנטהאַלטן טשאַד און סיליקאָן קענען רעאַגירן ביי הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך-ריינקייט סיק מאַלאַקיולז, וואָס קענען זיין דיפּאַזאַטאַד אויף דער ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס צו פאָרעם אַSiC פּראַטעקטיוו שיכטפֿאַר עפּיטאַקסי באַראַל טיפּ היפּאָטיק.
הויפּט פֿעיִקייטן:
1. הויך ריינקייט SiC באדעקטע גראַפיט
2. העכערע היץ קעגנשטעל און טערמישע איינהייטלעכקייט
3. פייןSiC קריסטאַל באדעקטפֿאַר אַ גלאַטער ייבערפלאַך
4. הויך געווער קעגן כעמישער רייניקונג
הויפּט ספּעסיפיקאַציעס פוןCVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD אייגנשאפטן | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | FCC β פאַזע | |
| געדיכטקייט | ג/קמ³ | 3.21 |
| כאַרטקייט | וויקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| גריין גרייס | מיקראָמעטער | 2~10 |
| כעמישע ריינקייט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַציטעט | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַציע טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט | MPa (RT 4-פונקט) | 415 |
| יונגס מאָדולוס | Gpa (4 פּינט בייג, 1300℃) | 430 |
| טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי | (וואט/מיליקעלער קאלעקציע) | 300 |
