באַשרייַבונג
אונדזער פירמע גיטSiC קאָוטינגפּראָצעס סערוויסעס דורך CVD מעטאָד אויף דער ייבערפלאַך פון גראַפיט, קעראַמיק און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעלע גאַזן מיט טשאַד און סיליקאָן רעאַגירן ביי הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דיפּאַזאַטאַד אויף די ייבערפלאַך פון די קאָוטאַד מאַטעריאַלס, פאָרמינג אַSiC פּראַטעקטיוו שיכט.
הויפּט פֿעיִקייטן
1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:
די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז אַזוי הויך ווי 1600 C.
2. הויך ריינקייט: געמאכט דורך כעמישע פארע דעפאזיציע אונטער הויך טעמפעראטור כלארינאציע באדינגונגען.
3. עראָזיע קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, קאָמפּאַקט ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַנישע רעאַגענץ.
הויפּט ספּעסיפיקאַציעס פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD אייגנשאפטן | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | FCC β פאַזע | |
| געדיכטקייט | ג/קמ³ | 3.21 |
| כאַרטקייט | וויקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| גריין גרייס | מיקראָמעטער | 2~10 |
| כעמישע ריינקייט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַציטעט | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַציע טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט | MPa (RT 4-פונקט) | 415 |
| יונגס מאָדולוס | Gpa (4 פּינט בייג, 1300℃) | 430 |
| טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי | (וואט/מיליקעלער קאלעקציע) | 300 |
עקוויפּמענט
