סיליקאָן קאַרבייד (SiC) עפּיטאַקסי
די עפּיטאַקסיאַל טאַץ, וואָס האַלט דעם SiC סאַבסטראַט פֿאַר וואַקסן די SiC עפּיטאַקסיאַל רעפטל, געשטעלט אין דער רעאַקציע קאַמער און קומט גלייך אין קאָנטאַקט מיטן וועיפער.
דער אויבערשטער האַלב-לבנה טייל איז אַ טרעגער פֿאַר אַנדערע אַקסעסאָריעס פֿון דער רעאַקציע קאַמער פֿון סיק עפּיטאַקסי עקוויפּמענט, בשעת דער אונטערשטער האַלב-לבנה טייל איז פֿאַרבונדן צום קוואַרץ רער, וואָס פֿירט אַרײַן דעם גאַז צו טרייבן די סאַסעפּטאָר באַזע צו דרייען זיך. זיי זענען טעמפּעראַטור-קאָנטראָלירבאַר און אינסטאַלירט אין דער רעאַקציע קאַמער אָן דירעקטן קאָנטאַקט מיטן וועיפֿער.
סי עפּיטאַקסי
די טאַץ, וואָס האַלט דעם סיליקאָן סאַבסטראַט פֿאַר וואַקסן די סי עפּיטאַקסיאַל רעפטל, געשטעלט אין דער רעאַקציע קאַמער און קומט גלייך אין קאָנטאַקט מיטן וועיפער.
דער פאָרהייצן רינג געפינט זיך אויפן אויסערן רינג פון דעם סיליקאָן עפּיטאַקסיאַל סאַבסטראַט טאַץ און ווערט גענוצט פֿאַר קאַליבראַציע און הייצן. עס ווערט געשטעלט אין דער רעאַקציע קאַמער און קומט נישט גלייך אין קאָנטאַקט מיטן וועיפער.
אַן עפּיטאַקסיאַל סאַסעפּטאָר, וואָס האַלט דעם סיליקאָן סאַבסטראַט פֿאַר וואַקסן אַן סיליקאָן עפּיטאַקסיאַל רעפטל, געשטעלט אין דער רעאַקציע קאַמער און גלייך קאָנטאַקטירט דעם וועיפער.
עפּיטאַקסיאַל פאַס איז אַ שליסל קאָמפּאָנענט געניצט אין פאַרשידענע האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע פּראָצעסן, בכלל געניצט אין MOCVD ויסריכט, מיט ויסגעצייכנט טערמישע פעסטקייט, כעמישער קעגנשטעל און טראָגן קעגנשטעל, זייער פּאַסיק פֿאַר נוצן אין הויך טעמפּעראַטור פּראָצעסן. עס קומט אין קאָנטאַקט מיט וועיפערס.
| פיזישע אייגנשאפטן פון רעקריסטאַליזירט סיליקאָן קאַרבייד | |
| פאַרמאָג | טיפּישער ווערט |
| ארבעטס טעמפּעראַטור (°C) | 1600°C (מיט זויערשטאָף), 1700°C (רעדוצירנדיקע סביבה) |
| SiC אינהאַלט | > 99.96% |
| פרייער סי אינהאַלט | <0.1% |
| מאַסע געדיכטקייט | 2.60-2.70 ג/קמ3 |
| אויסזעענדיקע פּאָראָזיטעט | < 16% |
| קאַמפּרעשאַן שטאַרקייט | > 600 MPa |
| קאַלט בענדינג שטאַרקייט | 80-90 MPa (20°C) |
| הייסע בענדינג שטאַרקייט | 90-100 MPa (1400°C) |
| טערמישע אויסברייטונג @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי @1200°C | 23 וואט/מ•ק |
| עלאַסטיש מאָדולוס | 240 GPa |
| טערמישע קלאַפּ קעגנשטעל | גאָר גוט |
| פיזישע אייגנשאפטן פון סינטערד סיליקאָן קאַרבייד | |
| פאַרמאָג | טיפּישער ווערט |
| כעמישע צוזאמענשטעלונג | SiC>95%, Si<5% |
| מאַסע געדיכטקייט | >3.07 ג/קמ³ |
| אויסזעענדיקע פּאָראָזיטעט | <0.1% |
| מאָדולוס פון ריס ביי 20 ℃ | 270 MPa |
| מאָדולוס פון ריס ביי 1200 ℃ | 290 MPa |
| כאַרטקייט ביי 20 ℃ | 2400 ק״ג/מ״מ² |
| בראָך טאַפנאַס ביי 20% | 3.3 MPa · מ1/2 |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי ביי 1200 ℃ | 45 וו/מ .ק |
| טערמישע אויסברייטונג ביי 20-1200 ℃ | 4.5 1 ×10 -6/℃ |
| מאַקס. אַרבעט טעמפּעראַטור | 1400℃ |
| טערמישע קלאַפּ קעגנשטעל ביי 1200 ℃ | גוט |
| גרונטלעכע פיזישע אייגנשאפטן פון CVD SiC פילמען | |
| פאַרמאָג | טיפּישער ווערט |
| קריסטאַל סטרוקטור | FCC β פאַזע פּאָליקריסטאַלין, הויפּטזעכלעך (111) אָריענטירט |
| געדיכטקייט | 3.21 ג/קמ³ |
| כאַרטקייט 2500 | (500 גראַם לאָד) |
| גריין גרייס | 2~10μm |
| כעמישע ריינקייט | 99.99995% |
| היץ קאַפּאַציטעט | 640 דזש·ק״ג-1·ק-1 |
| סובלימאַציע טעמפּעראַטור | 2700℃ |
| בייגונג שטאַרקייט | 415 MPa RT 4-פונקט |
| יונגס מאָדולוס | 430 Gpa 4pt בייגן, 1300℃ |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי | 300 וואט·ם-1·ק-1 |
| טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE) | 4.5×10-6 K -1 |
הויפּט פֿעיִקייטן
די ייבערפלאַך איז געדיכט און פריי פון פּאָרעס.
הויך ריינקייט, גאַנץ אומריינקייט אינהאַלט <20ppm, גוטע לופטדיכטקייט.
הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, שטאַרקייט ינקריסיז מיט ינקריסינג נוצן טעמפּעראַטור, דערגרייכן דעם העכסטן ווערט ביי 2750 ℃, סובלימאַציע ביי 3600 ℃.
נידעריק עלאַסטיש מאָדולוס, הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטי, נידעריק טערמישע יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט, און ויסגעצייכנט טערמישע קלאַפּ קעגנשטעל.
גוטע כעמישע פעסטקייט, קעגנשטעליק צו זויער, אלקאלי, זאלץ, און ארגאנישע רעאגענטן, און האט נישט קיין ווירקונג אויף געשמאָלצענע מעטאַלן, שלאַק, און אנדערע קעראָזיווע מעדיע. עס אַקסאַדירט נישט באַדייטנד אין דער אַטמאָספער אונטער 400°C, און די אַקסאַדיישאַן קורס פאַרגרעסערט זיך באַדייטנד ביי 800°C.
אָן ארויסלאָזן קיין גאַז ביי הויכע טעמפּעראַטורן, קען עס האַלטן אַ וואַקוום פון 10-7 מ״מ הג ביי אַרום 1800°C.
פּראָדוקט אַפּליקאַציע
שמעלץ-טיגל פֿאַר פֿאַרדאַמפּונג אין דער האַלב-קאָנדוקטאָר אינדוסטריע.
הויך-מאַכט עלעקטראָניש רער טויער.
באַרשט וואָס קומט אין קאָנטאַקט מיטן וואָולטאַזש רעגולאַטאָר.
גראַפיט מאָנאָטשראָמאַטאָר פֿאַר X-שטראַלן און נעיטראָן.
פארשידענע פֿאָרמען פֿון גראַפֿיט סאַבסטראַטן און אַטאָמישע אַבזאָרפּציע רער קאָוטינג.
פּיראָליטישער קוילן־באַדעקן־עפֿעקט אונטער אַ 500X מיקראָסקאָפּ, מיט אַ גאַנצער און פֿאַרזיגלטער ייבערפֿלאַך.
טאַק קאָוטינג איז די נייע דור הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעליק מאַטעריאַל, מיט בעסער הויך טעמפּעראַטור פעסטקייט ווי סיק. ווי אַ קעראָוזשאַן-קעגנשטעליק קאָוטינג, אַנטי-אַקסאַדיישאַן קאָוטינג און טראָגן-קעגנשטעליק קאָוטינג, קענען זיין געניצט אין אַ סביבה העכער 2000C, וויידלי געניצט אין אַעראָספּייס, גאָר הויך טעמפּעראַטור הייס ענד טיילן, די דריט דור האַלב-קאָנדוקטאָר איין קריסטאַל וווּקס פעלדער.
| פיזישע אייגנשאפטן פון TaC קאָוטינג | |
| געדיכטקייט | 14.3 (ג/קמ3) |
| ספּעציפֿישע עמיסיוויטי | 0.3 |
| טערמישע אויסברייטונג קאעפיציענט | 6.3 10/K |
| כאַרטקייט (HK) | 2000 האָנג קאָנג |
| קעגנשטעל | 1x10-5 אָום*ס״מ |
| טערמישע פעסטקייט | <2500℃ |
| גראַפיט גרייס ענדערונגען | -10~-20ום |
| קאָוטינג גרעב | טיפּישער ווערט ≥220ום (35ום ± 10ום) |
סאָליד CVD סיליקאָן קאַרבייד טיילן ווערן אנערקענט ווי די ערשטיקע ברירה פֿאַר RTP/EPI רינגען און באַזעס און פּלאַזמע עטש קאַוואַטי טיילן וואָס אַרבעטן ביי הויכע סיסטעם פארלאנגטע אָפּערייטינג טעמפּעראַטורן (> 1500°C), די באדערפענישן פֿאַר ריינקייט זענען באַזונדער הויך (> 99.9995%) און די פאָרשטעלונג איז באַזונדער גוט ווען די קעגנשטעל צו כעמיקאַלן איז באַזונדער הויך. די מאַטעריאַלן טאָן ניט אַנטהאַלטן צווייטיקע פאַסעס בייַ די קערל ברעג, אַזוי זייערע קאָמפּאָנענטן פּראָדוצירן ווייניקער פּאַרטיקאַלז ווי אַנדערע מאַטעריאַלן. אין דערצו, די קאָמפּאָנענטן קענען זיין ריין מיט הייס HF/HCI מיט קליין דעגראַדאַציע, ריזאַלטינג אין ווייניקער פּאַרטיקאַלז און אַ לענגער דינסט לעבן.
