הקדמה צו סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג
אונדזער כעמישע פארע דעפאזיציע (CVD) סיליקאן קארבייד (SiC) באַדעקונג איז אַ העכסט דויערהאפטיקע און טראָגן-קעגנשטעליקע שיכט, ידעאַל פֿאַר סביבות וואָס פאָדערן הויך קעראָוזשאַן און טערמישע קעגנשטעל.סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינגווערט געווענדט אין דינע שיכטן אויף פארשידענע סאַבסטראַטן דורך דעם CVD פּראָצעס, וואָס אָפפערס העכערע פאָרשטעלונג קעראַקטעריסטיקס.
שליסל פֿעיִקייטן
● -אויסערגעוויינלעכע ריינקייטמיט אַן אולטרא-ריינע קאָמפּאָזיציע פון99.99995%אונדזערSiC קאָוטינגמינימיזירט קאַנטאַמאַניישאַן ריסקס אין שפּירעוודיק האַלב-קאָנדוקטאָר אָפּעראַציעס.
● -העכערע קעגנשטעלווייזט אויף אן אויסגעצייכנטע קעגנשטעל קעגן ביידע טראָגן און קעראָוזשאַן, מאַכנדיג עס פּאַסיק פֿאַר שווערע כעמישע און פּלאַזמע סעטטינגס.
● -הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטיזיכערט פאַרלעסלעכע פאָרשטעלונג אונטער עקסטרעמע טעמפּעראַטורן צוליב זיינע אויסגעצייכנטע טערמישע אייגנשאַפטן.
● -דימענסיאָנעלע סטאַביליטעטהאַלט סטרוקטורעלע אָרנטלעכקייט איבער אַ ברייט קייט פון טעמפּעראַטורן, דאַנק צו זיין נידעריק טערמיש יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט.
● -פאַרבעסערטע כאַרדנאַסמיט אַ כאַרדנאַס ראַנג פון40 GPa, אונדזער SiC קאָוטינג איז קעגנשטעליק קעגן באַדייטנדיקן קלאַפּ און אַברייזשאַן.
● גלאַט ייבערפלאַך ענדיקונגגיט אַ שפּיגל-ווי ענדיקונג, רעדוצירט פּאַרטיקל דזשענעריישאַן און ענכאַנסט אָפּעראַציאָנעל עפעקטיווקייט.
אַפּליקאַציעס
סעמיקעראַ SiC קאָוטינגזווערן גענוצט אין פארשידענע שטאפלען פון האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקציע, אַרייַנגערעכנט:
● -לעד טשיפּ פאַבריקאַציע
● -פּאָליסיליקאָן פּראָדוקציע
● -האַלב-קאָנדוקטאָר קריסטאַל וווּקס
● -סיליקאָן און SiC עפּיטאַקסי
● -טערמישע אקסידאציע און דיפוזיע (TO&D)
מיר צושטעלן SiC-באדעקטע קאמפאנענטן געמאכט פון הויך-שטארקייט איזאסטאטישן גראפיט, קוילן-פיבער-פארשטארקטן קוילן און 4N רעקריסטאליזירטן סיליקאן קארבייד, צוגעפאסט פאר פלוידיזירט-בעט רעאקטארן,STC-TCS קאָנווערטערס, CZ יוניט רעפלעקטאָרס, SiC וועיפער שיפל, SiC וועיפער פּאַדל, SiC וועיפער רער, און וועיפער טרעגערס געניצט אין PECVD, סיליקאָן עפּיטאַקסי, MOCVD פּראַסעסאַז.
בענעפיטן
● -פאַרלענגערטע לעבנסדויעררעדוצירט באַדייטנד די דאַונטיים און וישאַלט קאָסטן פון ויסריכט, און פֿאַרבעסערט די אַלגעמיינע פּראָדוקציע עפֿעקטיווקייט.
● פֿאַרבעסערטע קוואַליטעטדערגרייכט הויך-ריינקייט ייבערפלאַכן נייטיק פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר פּראַסעסינג, אַזוי פֿאַרבעסערן פּראָדוקט קוואַליטעט.
● -פאַרגרעסערטע עפעקטיווקייטאָפּטימיזירט טערמישע און CVD פּראָצעסן, וואָס רעזולטירט אין קירצערע ציקל צייטן און העכערע ייעלדס.
טעכנישע ספּעציפֿיקאַציעס
● -סטרוקטורFCC β פאַזע פּאָליקריסטאַלין, הויפּטזעכלעך (111) אָריענטירט
● -דענסיטי: 3.21 ג/קמ³
● -האַרטקייט2500 וויקס כאַרדנאַס (500 ג לאָוד)
● -בראָך האַרטקייט: 3.0 MPa·m1/2
● -טערמישע עקספּאַנשאַן קאָעפֿיציענט (100–600 °C)4.3 x 10-6k-1
● -עלאַסטישער מאָדולוס(1300℃):435 גפּאַ
● -טיפּישע פילם גרעב:100 מיקראָמעטער
● -אייבערפלאַך ראַפֿקייט:2-10 מיקראָמעטער
ריינקייט דאַטן (געמאָסטן דורך גלאָו דיסטשאַרדזש מאַסע ספּעקטראָסקאָפּיע)
| עלעמענט | פּיפּיעם | עלעמענט | פּיפּיעם |
| Li | < 0.001 | Cu | < 0.01 |
| Be | < 0.001 | Zn | < 0.05 |
| אַל | < 0.04 | Ga | < 0.01 |
| P | < 0.01 | Ge | < 0.05 |
| S | < 0.04 | As | < 0.005 |
| K | < 0.05 | In | < 0.01 |
| Ca | < 0.05 | Sn | < 0.01 |
| Ti | < 0.005 | Sb | < 0.01 |
| V | < 0.001 | W | < 0.05 |
| Cr | < 0.05 | Te | < 0.01 |
| Mn | < 0.005 | Pb | < 0.01 |
| Fe | < 0.05 | Bi | < 0.05 |
| Ni | < 0.01 |
|
