סעמיסעראַ צושטעלט ספּעציאַליזירטע טאַנטאַלום קאַרבייד (TaC) קאָוטינגז פֿאַר פֿאַרשידענע קאָמפּאָנענטן און טרעגערס.סעמיסעראַ'ס פירנדיקער קאָוטינג פּראָצעס ערמעגליכט טאַנטאַלום קאַרבייד (TaC) קאָוטינגז צו דערגרייכן הויך ריינקייט, הויך טעמפּעראַטור פעסטקייט און הויך כעמישער טאָלעראַנץ, פֿאַרבעסערן פּראָדוקט קוואַליטעט פון SIC/GAN קריסטאַלן און EPI לייַערס (גראַפיט קאָוטאַד טאַק סאַסעפּטאָר), און פארלענגערן דאס לעבן פון שליסל רעאקטאר קאמפאנענטן. די נוצן פון טאנטאלום קארבייד TaC באדעקונג איז צו לייזן דעם ראַנד פּראָבלעם און פֿאַרבעסערן די קוואַליטעט פון קריסטאַל וווּקס, און סעמיסעראַ סעמיסעראַ האט דורכברוך סאַלווד די טאנטאלום קארבייד באדעקונג טעכנאָלאָגיע (CVD), דערגרייכן די אינטערנאַציאָנאַלע אַוואַנסירטע מדרגה.
נאך יארן פון אנטוויקלונג, האט סעמיסעראַ איינגענומען די טעכנאָלאָגיע פוןCVD TaCמיט די געמיינזאמע אנשטרענגונגען פון דער פאָרשונג און אַנטוויקלונג אָפּטיילונג. חסרונות זענען גרינג צו פּאַסירן אין דעם וווּקס פּראָצעס פון SiC וועיפערס, אָבער נאָך ניצןטאַק, דער אונטערשייד איז באַדייטנדיק. אונטן איז אַ פאַרגלייַך פון וועיפערס מיט און אָן TaC, ווי אויך סימיסעראַ' טיילן פֿאַר איין קריסטאַל וווּקס
מיט און אָן טאַק
נאך ניצן TaC (רעכטס)
דערצו, די לעבנסדויער פון סעמיסעראַ'ס TaC קאָוטינג פּראָדוקטן איז לענגער און מער קעגנשטעליק צו הויכע טעמפּעראַטורן ווי די פון SiC קאָוטינג. נאָך אַ לאַנגע צייט פון לאַבאָראַטאָריע מעסטונג דאַטן, קען אונדזער TaC אַרבעטן פֿאַר אַ לאַנגע צייט ביי אַ מאַקסימום פון 2300 גראַד צעלזיוס. די פאלגענדע זענען עטלעכע פון אונדזערע ביישפילן:
(א) סכעמאטישע דיאַגראַמע פון SiC איין קריסטאַל ינגאָט גראָוינג מיטל דורך PVT מעטאָד (ב) אויבערשטער TaC באדעקטע זוימען קלאַמער (אַרייַנגערעכנט SiC זוימען) (ג) TAC-באדעקטע גראַפיט פירער רינג
