CVD באַלק סיליקאָן קאַרבייד (SiC)
איבערבליק:קאַרדיאָוואַסקולאַרע קרענק (CVD)גרויסע סיליקאָן קאַרבייד (SiC)איז אַ זייער געזוכט מאַטעריאַל אין פּלאַזמע עטשינג עקוויפּמענט, שנעלע טערמאַל פּראַסעסינג (RTP) אַפּלאַקיישאַנז, און אַנדערע האַלב-קאָנדוקטאָר מאַנופאַקטורינג פּראָצעסן. זייַנע אויסערגעוויינלעכע מעכאַנישע, כעמישע און טערמאַלע אייגנשאַפטן מאַכן עס אַן אידעאַל מאַטעריאַל פֿאַר אַוואַנסירטע טעכנאָלאָגיע אַפּלאַקיישאַנז וואָס פאָדערן הויך פּינטלעכקייט און געווער.
אַפּליקאַציעס פון CVD באַלק SiC:גרויסע SiC איז קריטיש אין דער האַלב-קאָנדוקטאָר אינדוסטריע, ספּעציעל אין פּלאַזמע עטשינג סיסטעמען, וואו קאָמפּאָנענטן ווי פאָקוס רינגס, גאַז שאַוער קעפּ, ברעג רינגס און פּלאַטענס נוץ פון SiC'ס אויסגעצייכנטע קעראָוזשאַן קעגנשטעל און טערמישע קאַנדאַקטיוויטי. זיין נוצן פארשפרייט זיך צוRTPסיסטעמען צוליב SiC'ס מעגלעכקייט צו וויטשטיין שנעלע טעמפּעראַטור פלוקטואַציעס אָן באַדייטנדיק דעגראַדאַציע.
אין דערצו צו עטשינג עקוויפּמענט, CVDגרויסע סיקאיז באַפֿאָרצוגט אין דיפֿוזיע אויוון און קריסטאַל וווּקס פּראָצעסן, וואו הויך טערמישע פעסטקייט און קעגנשטעל צו שטרענגע כעמישע סביבות זענען פארלאנגט. די אַטריביוטן מאַכן SiC דעם מאַטעריאַל פון ברירה פֿאַר הויך-פאָדערונג אַפּלאַקיישאַנז וואָס אַרייַננעמען הויך טעמפּעראַטורעס און קעראָוסיוו גאַזן, אַזאַ ווי די וואָס אַנטהאַלטן קלאָר און פלאָרין.
מעלות פון CVD באַלק SiC קאָמפּאָנענטן:
•הויך געדיכטקייט:מיט אַ געדיכטקייט פון 3.2 ג/קמ³,CVD גרויסקייט SiCקאָמפּאָנענטן זענען העכסט קעגנשטעליק צו טראָגן און מעטשאַניקאַל פּראַל.
•העכערע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:מיט א טערמישע קאנדוקטיוויטעט פון 300 וואט/מ·ק, פירט גרויסע סיקלאסיק היץ עפעקטיוו, מאכנדיג עס אידעאל פאר קאמפאנענטן וואס זענען אויסגעשטעלט צו עקסטרעמע טערמישע ציקלען.
•אויסערגעוויינלעכע כעמישע קעגנשטעל:די נידעריגע רעאַקטיוויטעט פון SiC מיט עטשינג גאַזן, אַרייַנגערעכנט קלאָר און פלאָרין-באַזירטע כעמיקאַלן, ענשורז אַ פאַרלענגערט קאָמפּאָנענט לעבן.
•אַדזשאַסטאַבאַל קעגנשטעל: CVD גרויסע SiC'סקעגנשטאנד קען ווערן קאַסטאַמייזד אין די קייט פון 10⁻²–10⁴ Ω-cm, מאַכנדיג עס אַדאַפּטאַבאַל צו ספּעציפֿישע עטשינג און האַלב-קאָנדוקטאָר מאַנופאַקטורינג באדערפענישן.
•טערמישע עקספּאַנשאַן קאָעפיציענט:מיט אַ טערמישן יקספּאַנשאַן קאָעפיציענט פון 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), קעגנשטעלט CVD בולק SiC טערמישן שאָק, און האַלט דימענסיאָנעל פעסטקייט אפילו בעת שנעלע הייצונג און קילונג ציקלען.
•האַלטבארקייט אין פּלאַזמע:אויסשטעל צו פּלאַזמע און רעאַקטיווע גאַזן איז נישט צו פֿאַרמייַדן אין האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָצעסן, אָבערCVD גרויסקייט SiCאָפפערס העכערע קעגנשטעל צו קעראָוזשאַן און דעגראַדאַציע, רידוסינג פאַרבייַט אָפטקייַט און קוילעלדיק וישאַלט קאָס.
טעכנישע ספּעציפֿיקאַציעס:
•דיאַמעטער:גרעסער ווי 305 מ״מ
•קעגנשטעל:אַדזשאַסטאַבאַל צווישן 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•געדיכטקייט:3.2 ג/קמ³
•טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:300 וואט/מ²K
•טערמישע עקספּאַנשאַן קאָעפיציענט:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
קאַסטאַמייזיישאַן און בייגיקייט:בייסעמיקעראַ סעמיקאַנדאַקטער, מיר פֿאַרשטייען אַז יעדע האַלב-קאָנדוקטאָר אַפּליקאַציע קען דאַרפֿן אַנדערע ספּעציפֿיקאַציעס. דעריבער זענען אונדזערע CVD באַלק SiC קאָמפּאָנענטן גאָר קאַסטאַמייזאַבאַל, מיט אַדזשאַסטאַבאַל קעגנשטעל און צוגעפּאַסטע דימענסיעס צו פּאַסן צו אייערע עקוויפּמענט באַדערפֿנישן. צי איר אָפּטימיזירט אייערע פּלאַזמע עטשינג סיסטעמען אָדער זוכט דוראַבאַל קאָמפּאָנענטן אין RTP אָדער דיפֿוזיע פּראָצעסן, אונדזער CVD באַלק SiC גיט אומפּאַראַלעלד פאָרשטעלונג.
