באַשרייַבונג
אונדזער פירמע גיט SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגען דורך CVD מעטאָד אויף דער ייבערפלאַך פון גראַפיט, קעראַמיק און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעלע גאַזן וואָס אַנטהאַלטן טשאַד און סיליקאָן רעאַגירן ביי הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דיפּאַזאַט אויף דער ייבערפלאַך פון די באדעקט מאַטעריאַלס, פאָרמינג SIC פּראַטעקטיוו שיכט.
הויפּט פֿעיִקייטן
1. הויך ריינקייט SiC באדעקטע גראַפיט
2. העכערע היץ קעגנשטעל און טערמישע איינהייטלעכקייט
3. פיין SiC קריסטאַל באדעקט פֿאַר אַ גלאַט ייבערפלאַך
4. הויך געווער קעגן כעמישער רייניקונג
הויפּט ספּעסיפיקאַציעס פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD אייגנשאפטן | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | FCC β פאַזע | |
| געדיכטקייט | ג/קמ³ | 3.21 |
| כאַרטקייט | וויקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| גריין גרייס | מיקראָמעטער | 2~10 |
| כעמישע ריינקייט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַציטעט | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַציע טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט | MPa (RT 4-פונקט) | 415 |
| יונגס מאָדולוס | Gpa (4 פּינט בייג, 1300℃) | 430 |
| טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי | (וואט/מיליקעלער קאלעקציע) | 300 |
