וואַפער

כינע וועיפער מאַנופאַקטורערס, סאַפּלייערז, פאַבריק

פֿאַרשידענע מאַטעריאַלן אויף וועיפער

האַלב-קאָנדוקטאָר וועיפערס ווערן בפֿרט געמאַכט פֿון איין-קריסטאַל סיליקאָן צוליב זײַן פֿילפֿאַלטיגקייט, אויסגעצייכנטע עלעקטרישע אייגנשאַפֿטן, און קאָמפּאַטאַביליטי מיט נאָרמאַלע האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקציע פּראָצעסן. אָבער, לויט ספּעציפֿישע אַפּליקאַציעס און באַדערפֿנישן, קענען אַנדערע מאַטעריאַלן אויך געניצט ווערן צו מאַכן וועיפערס. דאָ זענען עטלעכע בײַשפּילן:

סיליקאָן קאַרבייד (SiC) איז אַ ברייט באַנדגאַפּ האַלב-קאָנדוקטאָר מאַטעריאַל וואָס אָפפערס העכערע פיזישע אייגנשאַפטן קאַמפּערד צו טראַדיציאָנעלע מאַטעריאַלן. עס העלפֿט רעדוצירן די גרייס און וואָג פון דיסקרעטע דעוויסעס, מאָדולן, און אפילו גאַנצע סיסטעמען, בשעת עס פֿאַרבעסערט עפֿיקאַסי.

שליסל קעראַקטעריסטיקס פון SiC:

1. ברייטע באַנדגאַפּ:SiC'ס באַנדגאַפּ איז בערך דריי מאָל אַזוי גרויס ווי סיליקאָן, וואָס ערלויבט עס צו אַרבעטן ביי העכערע טעמפּעראַטורן, ביז 400°C.
2. -הויך קריטישע ברייקדאַון פעלד:SiC קען אויסהאלטן ביז צען מאל דעם עלעקטרישן פעלד פון סיליקאן, מאכנדיג עס אידעאל פאר הויך-וואולטידזש דעווייסעס.
3. הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטי:SiC פֿאַרשפּרייט היץ עפֿעקטיוו, העלפֿנדיק דעוויסעס אויפֿהאַלטן אָפּטימאַלע אָפּערירן טעמפּעראַטורן און פֿאַרלענגערן זייער לעבן.
4. הויך זעטיקונג עלעקטראָן דריפט גיכקייַט:מיט טאָפּלט די דריפט גיכקייט פון סיליקאָן, SiC ענייבאַלז העכערע סוויטשינג פרעקווענצן, העלפּינג אין מיטל מיניאַטוריזאַציע.

אַפּליקאַציעס:

• מאַכט עלעקטראָניק:SiC מאַכט דעוויסעס עקסעלן אין הויך-וואָולטידזש, הויך-קראַנט, הויך-טעמפּעראַטור און הויך-פרעקווענץ סביבות, באַטייטיק ימפּרוווינג ענערגיע קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט. זיי זענען וויידלי געניצט אין עלעקטרישע וועהיקלעס, טשאַרדזשינג סטיישאַנז, פאָטאָוואָלטאַיק סיסטעמען, באַן טראַנספּאָרטאַציע און קלוג גרידס.

• -מייקראָוועוו קאָמוניקאַציעס:SiC-באזירטע GaN RF דעוויסעס זענען קריטיש פֿאַר וויירלעס קאָמוניקאַציע אינפראַסטרוקטור, ספּעציעל פֿאַר 5G באַזע סטיישאַנז. די דעוויסעס קאָמבינירן SiC'ס ויסגעצייכנט טערמישע קאַנדאַקטיוויטי מיט GaN'ס הויך-פרעקווענץ, הויך-מאַכט RF רעזולטאַט, מאכן זיי די בילכער ברירה פֿאַר ווייַטער-דור הויך-פרעקווענץ טעלעקאָם נעטוואָרקס.

גאליום ניטריד (GaN)איז אַ דריט-דור ברייט באַנדגאַפּ האַלב-קאָנדוקטאָר מאַטעריאַל מיט אַ גרויס באַנדגאַפּ, הויך טערמישע קאַנדאַקטיוויטי, הויך עלעקטראָן סאַטוראַציע דריפט גיכקייט, און ויסגעצייכנט ברייקדאַון פעלד קעראַקטעריסטיקס. GaN דעוויסעס האָבן ברייט אַפּלאַקיישאַן פּראַספּעקס אין הויך-פרעקווענץ, הויך-גיכקייט, און הויך-מאַכט געביטן אַזאַ ווי LED ענערגיע-שפּאָרנדיק לייטינג, לאַזער פּראַדזשעקשאַן דיספּלייז, עלעקטרישע וועהיקלעס, קלוג גרידס, און 5G קאָמוניקאַציע.

גאליום אַרסעניד (GaAs)איז אַ האַלב-קאָנדוקטאָר מאַטעריאַל באַקאַנט פֿאַר זײַן הויך-פֿרעקווענץ, הויך עלעקטראָן מאָביליטעט, הויך מאַכט רעזולטאַט, נידעריק ראַש, און גוט לינעאַריטעט. עס ווערט ברייט געניצט אין אָפּטאָעלעקטראָניק און מיקראָעלעקטראָניק אינדוסטריעס. אין אָפּטאָעלעקטראָניק, ווערן GaAs סאַבסטראַטן געניצט צו פּראָדוצירן LED (ליכט-עמיטינג דייאָדעס), LD (לאַזער דייאָדעס), און פֿאָטאָוואָלטאַיק דעוויסעס. אין מיקראָעלעקטראָניק, ווערן זיי געניצט אין דער פּראָדוקציע פֿון MESFETs (מעטאַל-האַלב-קאָנדוקטאָר פֿעלד-עפֿעקט טראַנזיסטאָרן), HEMTs (הויך עלעקטראָן מאָביליטעט טראַנזיסטאָרן), HBTs (העטעראָדזשאַנקשאַן ביפּאָלאַר טראַנזיסטאָרן), ICs (אינטעגרירטע סערקאַץ), מייקראַווייוו דייאָדעס, און האַל עפֿעקט דעוויסעס.

אינדיום פאָספיד (InP)איז איינער פון די וויכטיגע III-V קאמפאונד האַלב-קאָנדוקטאָרן, באַקאַנט פֿאַר זײַן הויכער עלעקטראָן מאָביליטעט, אויסגעצייכנטער ראַדיאַציע קעגנשטעל, און ברייטער באַנדגאַפּ. עס ווערט ברייט גענוצט אין די אָפּטאָעלעקטראָניק און מיקראָעלעקטראָניק אינדוסטריעס.

בעטן אַ וואַפער ציטאַט 

שיקט אונדז אייער וועיפער מאַטעריאַל, דיאַמעטער, גרעב, קאַנדאַקטיוויטי טיפּ, קעגנשטעל, קריסטאַל אָריענטירונג, ייבערפלאַך באדערפענישן און קוואַנטיטי. סעמיסעראַ וועט איבערקוקן די פארלאנגטע קאָנפיגוראַציע און צושטעלן פּראָדוקט סעלעקציע און ציטאַט שטיצע באזירט אויף די בנימצא ספּעסיפיקאַציעס.