פאַס סטרוקטור פֿאַר פאַס סאַססעפּטאָר

קורץ באַשרייַבונג:

Semicera אָפפערס אַ פולשטענדיק קייט פון סאַסעפּטערז און גראַפייט קאַמפּאָונאַנץ דיזיינד פֿאַר פאַרשידן עפּיטאַקסי רעאַקטאָרס.

דורך סטראַטידזשיק פּאַרטנערשיפּס מיט ינדאַסטרי-לידינג אָעם, ברייט מאַטעריאַלס עקספּערטיז און אַוואַנסירטע מאַנופאַקטורינג קייפּאַבילאַטיז, Semicera דיליווערז טיילערד דיזיינז צו טרעפן די ספּעציפיש רעקווירעמענץ פון דיין אַפּלאַקיישאַן.אונדזער היסכייַוועס צו עקסאַלאַנס ינשורז אַז איר באַקומען אָפּטימאַל סאַלושאַנז פֿאַר דיין עפּיטאַקסי רעאַקטאָר דאַרף.

 

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

אונדזער געזעלשאַפט גיטSiC קאָוטינגפּראָצעס סערוויסעס אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס דורך CVD אופֿן, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום קענען רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך-ריינקייַט סיק מאַלאַקיולז, וואָס קענען זיין דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס צו פאָרעם אַSiC פּראַטעקטיוו שיכטעפֿאַר עפּיטאַקסי פאַס טיפּ הי פּנאָטיק.

 

הויפּט פֿעיִקייטן:

1 .הויך ריינקייַט סיק קאָוטאַד גראַפייט

2. העכער היץ קעגנשטעל & טערמאַל יונאַפאָרמאַטי

3. פייןסיק קריסטאַל קאָוטאַדפֿאַר אַ גלאַט ייבערפלאַך

4. הויך געווער קעגן כעמישער רייניקונג

 
硅外延2-Si עפּיטאַקסיאַל פּאַרץ

 הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פוןCVD-SIC קאָוטינג

SiC-CVD פּראָפּערטיעס

קריסטאַל סטרוקטור פקק β פאַסע
געדיכטקייַט ג/קם ³ 3.21
כאַרדנאַס וויקקערס כאַרדנאַס 2500
קערל גרייס μm 2~10
כעמישער ריינקייַט % 99.99995
היץ קאַפּאַסיטי דזש·קג-1 ·ק-1 640
סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור 2700
פעלעקסוראַל שטאַרקייַט מפּאַ (רט 4-פונט) 415
יונג ס מאָדולע גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) 430
טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) 10-6ק-1 4.5
טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (וו/מק) 300
2--cvd-sic-purity---99-99995-_60366
5 ---- sic-crystal_242127
סעמיסעראַ אַרבעט אָרט
סעמיסעראַ אַרבעט אָרט 2
עקוויפּמענט מאַשין
CNN פּראַסעסינג, כעמישער רייניקונג, CVD קאָוטינג
אונדזער דינסט

  • פֿריִער:
  • ווייַטער: