6 אינטש N-טיפּ סיק סאַבסטרייט

קורץ באַשרייַבונג:

Semicera אָפפערס אַ ברייט קייט פון 4H-8H SiC ווייפערז. פֿאַר פילע יאָרן, מיר האָבן שוין אַ פאַבריקאַנט און סאַפּלייער פון פּראָדוקטן צו די סעמיקאַנדאַקטער און פאָטאָוואָלטאַיק ינדאַסטריז. אונדזער הויפּט פּראָדוקטן אַרייַננעמען: סיליציום קאַרבידע עטש פּלאַטעס, סיליציום קאַרבידע שיפל טריילערז, סיליציום קאַרבידע ווייפער באָוץ (פּוו & סעמיקאַנדאַקטער), סיליציום קאַרבידע אויוון טובז, סיליציום קאַרבידע קאַנטילעווער פּאַדאַלז, סיליציום קאַרבידע טשאַקס, סיליציום קאַרבידע בימז, ווי געזונט ווי קווד קאָוטינגז און קווד קאָוטינגז. טאַק קאָוטינגז. קאַווערינג רובֿ אייראפעישע און אמעריקאנער מארקפלעצער. מיר קוקן פאָרויס צו זיין דיין לאַנג-טערמין שוטעף אין טשיינאַ.

 

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

סיליציום קאַרבידע (סיק) איין קריסטאַל מאַטעריאַל האט אַ גרויס באַנד ריס ברייט (~ סי 3 מאל), הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (~ סי 3.3 מאל אָדער גאַאַס 10 מאל), הויך עלעקטראָן זעטיקונג מייגריישאַן קורס (~ סי 2.5 מאל), הויך ברייקדאַון עלעקטריק פעלד (~ סי 10 מאל אָדער גאַאַס 5 מאל) און אנדערע בוילעט קעראַקטעריסטיקס.

די דריט דור סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס אַרייַננעמען דער הויפּט סיק, גאַן, דימענט, אאז"ו ו, ווייַל זייַן באַנד ריס ברייט (למשל) איז גרעסער ווי אָדער גלייַך צו 2.3 עלעקטראָן וואלטס (עוו), אויך באקאנט ווי ברייט באַנד ריס סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס. קאַמפּערד מיט דער ערשטער און רגע דור סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס, די דריט דור סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס האָבן די אַדוואַנטידזשיז פון הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, הויך ברייקדאַון עלעקטריק פעלד, הויך סאַטשערייטאַד עלעקטראָן מייגריישאַן קורס און הויך באַנדינג ענערגיע, וואָס קענען טרעפן די נייַע רעקווירעמענץ פון מאָדערן עלעקטראָניש טעכנאָלאָגיע פֿאַר הויך. טעמפּעראַטור, הויך מאַכט, הויך דרוק, הויך אָפטקייַט און ראַדיאַציע קעגנשטעל און אנדערע האַרב טנאָים. עס האט וויכטיק אַפּלאַקיישאַן פּראַספּעקס אין די פעלדער פון נאציאנאלע פאַרטיידיקונג, ייווייישאַן, אַעראָספּאַסע, ייל עקספּלעריישאַן, אָפּטיש סטאָרידזש, אאז"ו ו, און קענען רעדוצירן ענערגיע אָנווער מיט מער ווי 50% אין פילע סטראַטידזשיק ינדאַסטריז אַזאַ ווי בראָדבאַנד קאָמוניקאַציע, זונ - ענערגיע, ויטאָמאָביל מאַנופאַקטורינג, סעמיקאַנדאַקטער לייטינג, און קלוג גריד, און קענען רעדוצירן ויסריכט באַנד מיט מער ווי 75%, וואָס איז אַ מיילסטאָון באַטייַט פֿאַר דער אַנטוויקלונג פון מענטש וויסנשאַפֿט און טעכנאָלאָגיע.

סעמיסעראַ ענערגיע קענען צושטעלן קאַסטאַמערז מיט הויך-קוואַליטעט קאַנדאַקטיוו (קאָנדוקטיווע), האַלב-ינסאַלייטינג (סעמי-ינסאַלייטינג), הפּסי (היגה ריינקייַט האַלב-ינסאַלייטינג) סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט; אין דערצו, מיר קענען צושטעלן קאַסטאַמערז מיט כאָומאַדזשיניאַס און כעטעראַדזשיניאַס סיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל שיץ; מיר קענען אויך קאַסטאַמייז די עפּיטאַקסיאַל בויגן לויט צו די ספּעציפיש באדערפענישן פון קאַסטאַמערז, און עס איז קיין מינימום סדר קוואַנטיטי.

זאכן

פּראָדוקציע

פאָרשונג

דאַמי

קריסטאַל פּאַראַמעטערס

פּאָליטיפּע

4H

ייבערפלאַך אָריענטירונג טעות

<11-20 >4±0.15°

עלעקטריקאַל פּאַראַמעטערס

דאָפּאַנט

n-טיפּ ניטראָגען

רעסיסטיוויטי

0.015-0.025 אָהם · סענטימעטער

מעטשאַניקאַל פּאַראַמעטערס

דיאַמעטער

150.0±0.2מם

גרעב

350±25 μם

ערשטיק פלאַך אָריענטירונג

[1-100]±5°

ערשטיק פלאַך לענג

47.5±1.5מם

צווייטיק פלאַך

קיינער

TTV

≤5 μם

≤10 μם

≤15 μם

LTV

≤3 μם (5 מם * 5 מם)

≤5 μם (5 מם * 5 מם)

≤10 μם (5 מם * 5 מם)

בויגן

-15μם ~ 15μם

-35μם ~ 35μם

-45μם ~ 45μם

וואָרפּ

≤35 μם

≤45 μם

≤55 μם

פראָנט (סי-פּנים) ראַפנאַס (אַפם)

ראַ≤0.2נם (5μם*5μם)

סטרוקטור

מיקראָפּיפּע געדיכטקייַט

<1 עאַ / סענטימעטער2

<10 עאַ/קם2

<15 עאַ / סענטימעטער2

מעטאַל ימפּיוראַטיז

≤5ע10אַטאָמס/קם2

NA

BPD

≤1500 עאַ/קם2

≤3000 עאַ/קם2

NA

TSD

≤500 עאַ/קם2

≤1000 עאַ / סענטימעטער2

NA

פראָנט קוואַליטי

פראָנט

Si

ייבערפלאַך ענדיקן

סי-פּנים קמפּ

פּאַרטיקאַלז

≤60 עאַ / וואַפער (גרייס ≥0.3μם)

NA

סקראַטשיז

≤5עאַ/מם. קיומיאַלאַטיוו לענג ≤דיאַמעטער

קיומיאַלאַטיוו לענג≤2*דיאַמעטער

NA

מאַראַנץ שאָלעכץ / פּיץ / סטאַינס / סטרייישאַנז / קראַקס / קאַנטאַמאַניישאַן

קיינער

NA

ברעג טשיפּס / ינדענץ / בראָך / העקס פּלאַטעס

קיינער

פּאָליטיפּע געביטן

קיינער

קיומיאַלאַטיוו שטח≤20%

קיומיאַלאַטיוו שטח≤30%

פראָנט לאַזער מאַרקינג

קיינער

צוריק קוואַליטי

צוריק ענדיקן

C-פּנים קמפּ

סקראַטשיז

≤5עאַ/מם,קיומיאַלאַטיוו לענג≤2*דיאַמעטער

NA

צוריק חסרונות (ברעג טשיפּס / ינדענטז)

קיינער

צוריק ראַפנאַס

ראַ≤0.2נם (5μם*5μם)

צוריק לאַזער מאַרקינג

1 מם (פון שפּיץ ברעג)

עדזש

עדזש

טשאַמפער

פּאַקקאַגינג

פּאַקקאַגינג

עפּי-גרייט מיט וואַקוום פּאַקקאַגינג

מולטי-ווייפער קאַסעט פּאַקקאַגינג

* נאָטעס: "NA" מיטל קיין בעטן יטעמס ניט דערמאנט קען אָפּשיקן צו SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC ווייפערז

סעמיסעראַ אַרבעט אָרט Semicera אַרבעט אָרט 2 עקוויפּמענט מאַשין CNN פּראַסעסינג, כעמישער רייניקונג, CVD קאָוטינג אונדזער דינסט


  • פֿריִער:
  • ווייַטער: