הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל טראָגן קעגנשטעל הויך כאַרדנאַס סיליציום קאַרבידע גרינדינג פּויק קענען זיין קאַסטאַמייזד

(1) הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, קליין קאָואַפישאַנט פון טערמאַל יקספּאַנשאַן
סיליציום קאַרבידע איז געמאכט אין הויך טעמפּעראַטורעס. אין עטלעכע הויך-טעמפּעראַטור סוויווע, די מאַטעריאַל איז פארלאנגט צו האָבן אַ זיכער פּראַסעסינג שטאַרקייַט, און טרעפן די פּראַסעסינג אַקיעראַסי, און סיליציום קאַרבידע סעראַמיקס קענען דערגרייכן די צוויי פונקטן. די העכסטן נוצן טעמפּעראַטור פון סיליציום קאַרבידע איז וועגן 800 ℃, און די שייַכעס טעמפּעראַטור פון שטאָל איז בלויז 250 ℃. דורך פּראָסט כעזשבן, די דורכשניטלעך טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט פון SIC איז 4.4 × 10-6 / C אין די קייט פון 25 ~ 1400 ℃. די טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט פון SIC איז פיל קלענערער ווי אַז פון אנדערע אַברייסיווז און הויך טעמפּעראַטור מאַטעריאַלס. פֿאַר בייַשפּיל, דער קאָואַפישאַנט פון טערמאַל יקספּאַנשאַן פון קאָרונדום קענען זיין ווי הויך ווי (7 ~ 8) × 10-6 / ℃.

(2) הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי
די הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון SIC איז אן אנדער וויכטיק כאַראַקטעריסטיש פון זייַן גשמיות פּראָפּערטיעס. די טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון סיליציום קאַרבידע איז פיל העכער ווי אַז פון אנדערע ראַפראַקטערי מאַטעריאַלס און אַברייסיווז, וועגן 4 מאל אַז פון קאָרונדום. סיליציום קאַרבידע טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט איז נידעריק, הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, מאכן זייַן פּראָדוקטן אין דעם פּראָצעס פון באַהיצונג און קאָאָלינג אונטער ווייניקער טערמאַל דרוק, וואָס איז אויך סיליציום קאַרבידע פּראָדוקטן טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל איז דער הויפּט גוט סיבה.

(3) קעראָוזשאַן קעגנשטעל
סיליציום קאַרבידע ווייַל פון זייַן מעלטינג פונט (דיקאַמפּאָוזישאַן טעמפּעראַטור), כעמיש ינערשאַ און טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל איז הויך, קענען ווערן געניצט פֿאַר אַ פאַרשיידנקייַט פון סיליציום קאַרבידע סעראַמיק פּראָדוקטן, אַזאַ ווי סעראַמיק פּראָדוקטן אויוון גרינדינג מכשירים, סופיט טעלער און סאַגער, צינק סמעלטינג ינדאַסטרי ווערטיקאַל פּראָדוקטן. צילינדער דיסטאַליישאַן אויוון מיט סיליציום קאַרבידע ציגל, אַלומינום עלעקטראָליטיק צעל ונטערשלאַק, קרוסאַבאַל, קליין אויוון מאַטעריאַל.