סעראַמיק סעמיקאַנדאַקטער פּראָפּערטיעס

איינריכטונגען:

די רעסיסטיוויטי פון סעראַמיקס מיט סעמיקאַנדאַקטער פּראָפּערטיעס איז וועגן 10-5 ~ 107ω.קם, און די סעמיקאַנדאַקטער פּראָפּערטיעס פון סעראַמיק מאַטעריאַלס קענען זיין באקומען דורך דאָפּינג אָדער קאָזינג לאַטאַס חסרונות געפֿירט דורך סטאָיטשיאָמעטריק דיווייישאַן.סעראַמיקס מיט דעם אופֿן אַרייַננעמען TiO2,

ZnO, CdS, BatiO3, Fe2O3, Cr2O3 און SiC.די פאַרשידענע קעראַקטעריסטיקס פון סעמיקאַנדאַקטער סעראַמיק זענען אַז זייער עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי ענדערונגען מיט די סוויווע, וואָס קענען זיין געוויינט צו מאַכן פאַרשידן טייפּס פון סעראַמיק שפּירעוודיק דעוויסעס.

אַזאַ ווי היץ שפּירעוודיק, גאַז שפּירעוודיק, הומידיטי שפּירעוודיק, דרוק שפּירעוודיק, ליכט שפּירעוודיק און אנדערע סענסאָרס.סעמיקאַנדאַקטער ספּינעל מאַטעריאַלס, אַזאַ ווי Fe3O4, זענען געמישט מיט ניט-אָנפירער ספּינעל מאַטעריאַלס, אַזאַ ווי MgAl2O4, אין קאַנטראָולד האַרט סאַלושאַנז.

MgCr2O4 און Zr2TiO4 קענען זיין געוויינט ווי טערמיסטאָרז, וואָס זענען קערפאַלי קאַנטראָולד קעגנשטעל דעוויסעס וואָס בייַטן מיט טעמפּעראַטור.ZnO קענען זיין מאַדאַפייד דורך אַדינג אַקסיידז אַזאַ ווי Bi, Mn, Co און Cr.

רובֿ פון די אַקסיידז זענען נישט סאָליד צעלאָזן אין זנאָ, אָבער דעפלעקטיאָן אויף די קערל גרענעץ צו פאָרעם אַ שלאַבאַן שיכטע, אַזוי צו באַקומען זנאָ וואַריסטאָר סעראַמיק מאַטעריאַלס, און איז אַ מין פון מאַטעריאַל מיט דער בעסטער פאָרשטעלונג אין וואַריסטאָר סעראַמיקס.

סיק דאָפּינג (אַזאַ ווי מענטשלעך טשאַד שוואַרץ, גראַפייט פּודער) קענען צוגרייטן סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס מיט הויך טעמפּעראַטור פעסטקייַט, געניצט ווי פאַרשידן קעגנשטעל באַהיצונג עלעמענטן, דאָס איז, סיליציום טשאַד ראַדז אין הויך טעמפּעראַטור עלעקטריק אויוון.קאָנטראָל די רעסיסטיוויטי און קרייַז אָפּטיילונג פון SiC צו דערגרייכן כּמעט אַלץ איר ווילט

אַפּערייטינג טנאָים (אַרויף צו 1500 ° C), ינקריסינג זייַן רעסיסטיוויטי און רידוסינג די קרייַז אָפּטיילונג פון די באַהיצונג עלעמענט וועט פאַרגרעסערן די היץ דזשענערייטאַד.סיליציום טשאַד רוט אין די לופט וועט פּאַסירן אַקסאַדיישאַן אָפּרוף, די נוצן פון טעמפּעראַטור איז בכלל לימיטעד צו 1600 °C אונטן, דער פּראָסט טיפּ פון סיליציום טשאַד רוט

די זיכער אַפּערייטינג טעמפּעראַטור איז 1350 °C.אין SiC, אַ סי אַטאָם איז ריפּלייסט דורך אַן N אַטאָם, ווייַל N האט מער עלעקטראָנס, עס זענען וידעפדיק עלעקטראָנס, און זייַן ענערגיע מדרגה איז נאָענט צו די נידעריקער קאַנדאַקשאַן באַנד און עס איז גרינג צו כאַפּן צו די קאַנדאַקשאַן באַנד, אַזוי דעם ענערגיע שטאַט איז אויך גערופן די מענאַדעוו מדרגה, דעם האַלב

די קאָנדוקטאָרס זענען N-טיפּ האַלב-קאָנדוקטאָרס אָדער עלעקטראָניש קאַנדאַקטערז.אויב אַ על אַטאָם איז געניצט אין SiC צו פאַרבייַטן אַ סי אַטאָם, ווייַל פון די פעלן פון אַן עלעקטראָן, די געשאפן מאַטעריאַל ענערגיע שטאַט איז נאָענט צו די וואַלענס עלעקטראָן באַנד אויבן, עס איז גרינג צו אָננעמען עלעקטראָנס, און איז דעריבער גערופן אַקסעפּטאַנט

די הויפט ענערגיע שטאפל, וואס לאזט איבער א ליידיגע פאזיציע אין די וואַלענס באנדע וואס קען פירן עלעקטראנען ווייל די ליידיגע פאזיציע אקט די זעלבע ווי די פאזיטיווע לאדונג טרעגער, ווערט אנגערופן א P-טיפ האלבפירער אדער לאך האלבפירער (H. Sarman, 1989).