אין הייַנט ס פעלד פון עלעקטראָניש טעכנאָלאָגיע, סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס שפּילן אַ קריטיש ראָלע.צווישן זיי,סיליציום קאַרבידע (SiC)ווי אַ ברייט באַנד ריס סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַל, מיט זייַן ויסגעצייכנט פאָרשטעלונג אַדוואַנטידזשיז, אַזאַ ווי הויך ברייקדאַון עלעקטריק פעלד, הויך זעטיקונג גיכקייַט, הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, אאז"ו ו, איז ביסלעכווייַז שיין די פאָקוס פון ריסערטשערז און ענדזשאַנירז.דיסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל דיסק, ווי אַ וויכטיק טייל פון עס, האט געוויזן גרויס אַפּלאַקיישאַן פּאָטענציעל.
עפּיטאַקסיאַל דיסק פאָרשטעלונג: פול אַדוואַנטידזשיז
1. הינטער-הויך ברייקדאַון עלעקטריק פעלד: קאַמפּערד מיט טראדיציאנעלן סיליציום מאַטעריאַלס, די ברייקדאַון עלעקטריק פעלד פוןסיליציום קאַרבידעאיז מער ווי 10 מאל.דעם מיטל אַז אונטער דער זעלביקער וואָולטידזש טנאָים, עלעקטראָניש דעוויסעס ניצןסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל דיסקסקענען וויטסטאַנד העכער קעראַנץ, דערמיט שאפן הויך-וואָולטידזש, הויך-אָפטקייַט, הויך-מאַכט עלעקטראָניש דעוויסעס.
2. הויך-גיכקייַט זעטיקונג גיכקייַט: די זעטיקונג גיכקייַט פוןסיליציום קאַרבידעאיז מער ווי 2 מאל אַז פון סיליציום.אַפּערייטינג אין הויך טעמפּעראַטור און הויך גיכקייַט, דיסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל דיסקפּערפאָרמז בעסער, וואָס באטייטיק ימפּרוווז די פעסטקייַט און רילייאַבילאַטי פון עלעקטראָניש דעוויסעס.
3. הויך עפעקטיווקייַט טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי: די טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון סיליציום קאַרבידע איז מער ווי 3 מאל אַז פון סיליציום.דער שטריך אַלאַוז עלעקטראָניש דעוויסעס צו בעסער דיסאַפּייט היץ בעשאַס קעסיידערדיק הויך-מאַכט אָפּעראַציע, דערמיט פּרעווענטינג אָוווערכיטינג און ימפּרוווינג מיטל זיכערקייַט.
4. ויסגעצייכנט כעמישער פעסטקייַט: אין עקסטרעם ינווייראַנמאַנץ אַזאַ ווי הויך טעמפּעראַטור, הויך דרוק און שטאַרק ראַדיאַציע, די פאָרשטעלונג פון סיליציום קאַרבידע איז נאָך סטאַביל ווי פריער.דעם שטריך ינייבאַלז די סיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל דיסק צו האַלטן ויסגעצייכנט פאָרשטעלונג אין די פּנים פון קאָמפּלעקס ינווייראַנמאַנץ.
二, מאַנופאַקטורינג פּראָצעס: קערפאַלי קאַרווד
די הויפּט פּראַסעסאַז פֿאַר מאַנופאַקטורינג SIC עפּיטאַקסיאַל דיסק אַרייַננעמען גשמיות פארע דעפּאַזישאַן (פּווד), כעמישער פארע דעפּאַזישאַן (CVD) און עפּיטאַקסיאַל וווּקס.יעדער פון די פּראַסעסאַז האט זייַן אייגענע קעראַקטעריסטיקס און ריקווייערז גענוי קאָנטראָל פון פאַרשידן פּאַראַמעטערס צו דערגרייכן די בעסטער רעזולטאַטן.
1. PVD פּראָצעס: דורך יוואַפּעריישאַן אָדער ספּאַטערינג און אנדערע מעטהאָדס, די סיק ציל איז דאַפּאַזיטיד אויף די סאַבסטרייט צו פאָרעם אַ פילם.דער פילם צוגעגרייט דורך דעם אופֿן האט הויך ריינקייַט און גוט קריסטאַלינאַס, אָבער די פּראָדוקציע גיכקייַט איז לעפיערעך פּאַמעלעך.
2. CVD פּראָצעס: דורך קראַקינג די סיליציום קאַרבידע מקור גאַז אין הויך טעמפּעראַטור, עס איז דאַפּאַזיטיד אויף די סאַבסטרייט צו פאָרעם אַ דין פילם.די גרעב און יונאַפאָרמאַטי פון די פילם צוגעגרייט דורך דעם אופֿן זענען קאַנטראָולאַבאַל, אָבער די ריינקייַט און קריסטאַלינאַס זענען נעבעך.
3. עפּיטאַקסיאַל וווּקס: גראָוט פון סיק עפּיטאַקסיאַל שיכטע אויף מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום אָדער אנדערע מאַנאַקריסטאַללינע מאַטעריאַלס דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אופֿן.די עפּיטאַקסיאַל שיכטע צוגעגרייט דורך דעם אופֿן האט גוט מאַטטשינג און ויסגעצייכנט פאָרשטעלונג מיט די סאַבסטרייט מאַטעריאַל, אָבער די פּרייַז איז לעפיערעך הויך.
三、 אַפּלאַקיישאַן פּראָספּעקט: ילומיניט די צוקונפֿט
מיט די קעסיידערדיק אַנטוויקלונג פון מאַכט עלעקטראָניק טעכנאָלאָגיע און די ינקריסינג פאָדערונג פֿאַר הויך פאָרשטעלונג און הויך רילייאַבילאַטי עלעקטראָניש דעוויסעס, סיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל דיסק האט אַ ברייט אַפּלאַקיישאַן פּראָספּעקט אין מאַנופאַקטורינג סעמיקאַנדאַקטער מיטל.עס איז וויידלי געניצט אין דער פּראָדוצירן פון הויך-אָפטקייַט הויך-מאַכט סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס, אַזאַ ווי מאַכט עלעקטראָניש סוויטשיז, ינווערטערס, רעקטאַפייערז, אאז"ו ו, עס איז אויך וויידלי געניצט אין זונ - סעלז, געפירט און אנדערע פעלדער.
מיט זיין יינציק פאָרשטעלונג אַדוואַנטידזשיז און קעסיידערדיק פֿאַרבעסערונג פון די מאַנופאַקטורינג פּראָצעס, סיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאַל דיסק איז ביסלעכווייַז ווייַזן זיין גרויס פּאָטענציעל אין די סעמיקאַנדאַקטער פעלד.מיר האָבן סיבה צו גלויבן אַז אין דער צוקונפֿט פון וויסנשאַפֿט און טעכנאָלאָגיע, עס וועט שפּילן אַ מער וויכטיק ראָלע.
פּאָסטן צייט: נאוועמבער 28-2023