סיליציום קאַרבידע ווייפער פּראָדוקציע פּראָצעס

סיליציום קאַרבידע ווייפעראיז געמאכט פון הויך ריינקייַט סיליציום פּודער און הויך ריינקייַט טשאַד פּודער ווי רוי מאַטעריאַלס, און סיליציום קאַרבידע קריסטאַל איז דערוואַקסן דורך גשמיות פארע אַריבערפירן אופֿן (פּווט), און פּראַסעסט איןסיליציום קאַרבידע ווייפער.

① רוי מאַטעריאַל סינטעז. הויך ריינקייַט סיליציום פּודער און הויך ריינקייַט טשאַד פּודער זענען געמישט לויט צו אַ זיכער פאַרהעלטעניש, און סיליציום קאַרבידע פּאַרטיקאַלז זענען סינטאַסייזד בייַ הויך טעמפּעראַטור העכער 2,000 ℃. נאָך קראַשינג, רייניקונג און אנדערע פּראַסעסאַז, די הויך ריינקייַט סיליציום קאַרבידע פּודער רוי מאַטעריאַלס וואָס טרעפן די באדערפענישן פון קריסטאַל וווּקס זענען צוגעגרייט.

② קריסטאַל וווּקס. ניצן הויך ריינקייַט SIC פּודער ווי רוי מאַטעריאַל, די קריסטאַל איז דערוואַקסן דורך גשמיות פארע אַריבערפירן (פּווט) אופֿן ניצן זיך-דעוועלאָפּעד קריסטאַל גראָוט אויוון.

③ ינגגאַט פּראַסעסינג. די באקומען סיליציום קאַרבידע קריסטאַל ינגגאַט איז אָריענטיד דורך X-Ray איין קריסטאַל אָריענטאַטאָר, דעמאָלט ערד און ראָולד, און פּראַסעסט אין נאָרמאַל דיאַמעטער סיליציום קאַרבידע קריסטאַל.

④ קריסטאַל קאַטינג. ניצן מאַלטי-שורה קאַטינג ויסריכט, סיליציום קאַרבידע קריסטאַלז זענען שנייַדן אין דין שיץ מיט אַ גרעב פון ניט מער ווי 1 מם.

⑤ טשיפּ גרינדינג. די ווייפער איז ערד צו די געבעטן פלאַטנאַס און ראַפנאַס דורך דימענט גרינדינג פלוידס פון פאַרשידענע פּאַרטאַקאַל סיזעס.

⑥ טשיפּ פּאַלישינג. די פּאַלישט סיליציום קאַרבידע אָן ייבערפלאַך שעדיקן איז באקומען דורך מעטשאַניקאַל פּאַלישינג און כעמישער מעטשאַניקאַל פּאַלישינג.

⑦ שפּאָן דיטעקשאַן. ניצן אָפּטיש מיקראָסקאָפּ, X-Ray דיפפראַקטאָמעטער, אַטאָמישע קראַפט מיקראָסקאָפּ, ניט-קאָנטאַקט רעסיסטיוויטי טעסטער, ייבערפלאַך פלאַטנאַס טעסטער, ייבערפלאַך דעפעקט פולשטענדיק טעסטער און אנדערע ינסטראַמאַנץ און ויסריכט צו דעטעקט די מיקראָטובולע ​​געדיכטקייַט, קריסטאַל קוואַליטעט, ייבערפלאַך ראַפנאַס, רעסיסטיוויטי, וואָרפּאַג, קערוואַטשער, גרעב טוישן, ייבערפלאַך קראַצן און אנדערע פּאַראַמעטערס פון סיליציום קאַרבידע ווייפער. לויט דעם, די קוואַליטעט מדרגה פון די שפּאָן איז באשלאסן.

⑧ טשיפּ רייניקונג. די סיליציום קאַרבידע פּאַלישינג בויגן איז קלינד מיט רייניקונג אַגענט און ריין וואַסער צו באַזייַטיקן די ריזידזשואַל פּאַלישינג פליסיק און אנדערע ייבערפלאַך שמוץ אויף די פּאַלישינג בויגן, און דאַן די ווייפער איז בלאָון און טרוקן דורך הינטער-הויך ריינקייַט ניטראָגען און דרייינג מאַשין; די ווייפער איז ענקאַפּסאַלייטיד אין אַ ריין בויגן קעסטל אין אַ סופּער-ריין קאַמער צו פאָרעם אַ דאַונסטרים גרייט-צו-נוצן סיליציום קאַרבידע ווייפער.

די גרעסערע די שפּאָן גרייס, די מער שווער די קאָראַספּאַנדינג קריסטאַל וווּקס און פּראַסעסינג טעכנאָלאָגיע, און די העכער די מאַנופאַקטורינג עפעקטיווקייַט פון דאַונסטרים דעוויסעס, די נידעריקער דער אַפּאַראַט פּרייַז.