סיליציום קאַרבידע ווייפער שיפל

SiC פּראָדוקט פֿעיִקייטן

הויך טעמפּעראַטור און קעראָוזשאַן קעגנשטעליק, ימפּרוווינג ווייפער קוואַליטעט און פּראָודאַקטיוויטי

SiC רעפערס צו סיליציום קאַרבידע. סיליציום קאַרבידע (SiC) איז געמאכט פון קוואַרץ זאַמד, קאָקס און אנדערע רוי מאַטעריאַלס דורך די הויך טעמפּעראַטור ויוון מעלטינג. די קראַנט ינדאַסטרי פּראָדוקציע פון ​​סיליציום קאַרבידע האט צוויי מינים, שוואַרץ סיליציום קאַרבידע און גרין סיליציום קאַרבידע. ביידע זענען כעקסאַגאַנאַל קריסטאַל, די ספּעציפיש ערלעכקייט פון 3.21ג / קמ3, מיקראָ כאַרדנאַס פון 2840 ~ 3320 קג / ממ2.

אין מינדסטער 70 מינים פון קריסטאַליין סיליציום קאַרבידע, רעכט צו זייַן נידעריק ערלעכקייט 3.21ג/קמ3 און הויך טעמפּעראַטור שטאַרקייַט, עס איז פּאַסיק פֿאַר בערינגז אָדער הויך טעמפּעראַטור אויוון רוי מאַטעריאַלס. אין קיין דרוק קענען ניט זיין ריטשט, און האָבן אַ היפּש נידעריק כעמישער טעטיקייט.

אין דער זעלביקער צייט, פילע מענטשן האָבן געפרוווט צו פאַרבייַטן סיליציום מיט סיליציום קאַרבידע רעכט צו זייער הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, הויך צעטרעטן עלעקטריק פעלד שטאַרקייַט און הויך מאַקסימום קראַנט געדיכטקייַט. לעצטנס, אין די אַפּלאַקיישאַן פון סעמיקאַנדאַקטער הויך מאַכט קאַמפּאָונאַנץ. אין פאַקט, די סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט אין טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, מער ווי 10 מאל העכער ווי די סאַפייער סאַבסטרייט, אַזוי די נוצן פון סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט געפירט קאַמפּאָונאַנץ, מיט גוט קאַנדאַקטיוואַטי און טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, לעפיערעך קאַנדוסיוו צו די פּראָדוקציע פון ​​הויך-מאַכט געפירט.