סעמיסעראַסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאיז ענדזשאַנירד צו טרעפן די שטרענג פאדערונגען פון מאָדערן סעמיקאַנדאַקטער אַפּלאַקיישאַנז. דורך ניצן אַוואַנסירטע עפּיטאַקסיאַל גראָוט טעקניקס, מיר ינשור אַז יעדער סיליציום קאַרבידע שיכטע יגזיבאַץ יקסעפּשאַנאַל קריסטאַליין קוואַליטעט, יונאַפאָרמאַטי און מינימאַל דעפעקט געדיכטקייַט. די קעראַקטעריסטיקס זענען קריטיש פֿאַר דעוועלאָפּינג הויך-פאָרשטעלונג מאַכט עלעקטראָניק, ווו עפעקטיווקייַט און טערמאַל פאַרוואַלטונג זענען העכסט.
דיסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסידער פּראָצעס אין Semicera איז אָפּטימיזעד צו פּראָדוצירן עפּיטאַקסיאַל לייַערס מיט גענוי גרעב און דאָפּינג קאָנטראָל, ינשורינג קאָנסיסטענט פאָרשטעלונג איבער אַ קייט פון דעוויסעס. דער מדרגה פון פּינטלעכקייַט איז יקערדיק פֿאַר אַפּלאַקיישאַנז אין עלעקטריק וועהיקלעס, רינואַבאַל ענערגיע סיסטעמען און הויך-אָפטקייַט קאָמוניקאַציע, ווו רילייאַבילאַטי און עפעקטיווקייַט זענען קריטיש.
דערצו, סעמיסעראַ ססיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיאָפפערס ימפּרוווד טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און העכער ברייקדאַון וואָולטידזש, וואָס מאכט עס די בילכער ברירה פֿאַר דעוויסעס וואָס אַרבעטן אונטער עקסטרעם טנאָים. די פּראָפּערטיעס ביישטייערן צו אַ מער לייפסיימז פון די מיטל און ימפּרוווד קוילעלדיק סיסטעם עפעקטיווקייַט, ספּעציעל אין ינווייראַנמאַנץ מיט הויך מאַכט און הויך טעמפּעראַטור.
Semicera אויך גיט קוסטאָמיזאַטיאָן אָפּציעס פֿאַרסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסי, אַלאַוינג פֿאַר טיילערד סאַלושאַנז וואָס טרעפן ספּעציפיש מיטל רעקווירעמענץ. צי פֿאַר פאָרשונג אָדער גרויס-וואָג פּראָדוקציע, אונדזער עפּיטאַקסיאַל לייַערס זענען דיזיינד צו שטיצן די ווייַטער דור פון סעמיקאַנדאַקטער ינאָווויישאַנז, וואָס אַלאַוז די אַנטוויקלונג פון מער שטאַרק, עפעקטיוו און פאַרלאָזלעך עלעקטראָניש דעוויסעס.
דורך ינטאַגרייטינג קאַטינג-ברעג טעכנאָלאָגיע און סטרינדזשאַנט קוואַליטעט קאָנטראָל פּראַסעסאַז, Semicera ינשורז אַז אונדזערסיליציום קאַרבידע עפּיטאַקסיפּראָדוקטן ניט בלויז טרעפן אָבער יקסיד ינדאַסטרי סטאַנדאַרדס. די היסכייַוועס צו עקסאַלאַנס מאכט אונדזער עפּיטאַקסיאַל לייַערס די ידעאַל יסוד פֿאַר אַוואַנסירטע סעמיקאַנדאַקטער אַפּלאַקיישאַנז, פּייווינג דעם וועג פֿאַר ברייקטרוז אין מאַכט עלעקטראָניק און אָפּטאָעלעקטראָניק.
| זאכן | פּראָדוקציע | פאָרשונג | דאַמי |
| קריסטאַל פּאַראַמעטערס | |||
| פּאָליטיפּע | 4H | ||
| ייבערפלאַך אָריענטירונג טעות | <11-20 >4±0.15° | ||
| עלעקטריקאַל פּאַראַמעטערס | |||
| דאָפּאַנט | n-טיפּ ניטראָגען | ||
| רעסיסטיוויטי | 0.015-0.025 אָהם · סענטימעטער | ||
| מעטשאַניקאַל פּאַראַמעטערס | |||
| דיאַמעטער | 150.0±0.2מם | ||
| גרעב | 350±25 μם | ||
| ערשטיק פלאַך אָריענטירונג | [1-100]±5° | ||
| ערשטיק פלאַך לענג | 47.5±1.5מם | ||
| צווייטיק פלאַך | קיינער | ||
| TTV | ≤5 μם | ≤10 μם | ≤15 μם |
| LTV | ≤3 μם (5 מם * 5 מם) | ≤5 μם (5 מם * 5 מם) | ≤10 μם (5 מם * 5 מם) |
| בויגן | -15μם ~ 15μם | -35μם ~ 35μם | -45μם ~ 45μם |
| וואָרפּ | ≤35 μם | ≤45 μם | ≤55 μם |
| פראָנט (סי-פּנים) ראַפנאַס (אַפם) | ראַ≤0.2נם (5μם*5μם) | ||
| סטרוקטור | |||
| מיקראָפּיפּע געדיכטקייַט | <1 עאַ / סענטימעטער2 | <10 עאַ/קם2 | <15 עאַ / סענטימעטער2 |
| מעטאַל ימפּיוראַטיז | ≤5ע10אַטאָמס/קם2 | NA | |
| BPD | ≤1500 עאַ/קם2 | ≤3000 עאַ/קם2 | NA |
| TSD | ≤500 עאַ/קם2 | ≤1000 עאַ / סענטימעטער2 | NA |
| פראָנט קוואַליטי | |||
| פראָנט | Si | ||
| ייבערפלאַך ענדיקן | סי-פּנים קמפּ | ||
| פּאַרטיקאַלז | ≤60 עאַ / וואַפער (גרייס ≥0.3μם) | NA | |
| סקראַטשיז | ≤5עאַ/מם. קיומיאַלאַטיוו לענג ≤דיאַמעטער | קיומיאַלאַטיוו לענג≤2*דיאַמעטער | NA |
| מאַראַנץ שאָלעכץ / פּיץ / סטאַינס / סטרייישאַנז / קראַקס / קאַנטאַמאַניישאַן | קיינער | NA | |
| ברעג טשיפּס / ינדענץ / בראָך / העקס פּלאַטעס | קיינער | ||
| פּאָליטיפּע געביטן | קיינער | קיומיאַלאַטיוו שטח≤20% | קיומיאַלאַטיוו שטח≤30% |
| פראָנט לאַזער מאַרקינג | קיינער | ||
| צוריק קוואַליטי | |||
| צוריק ענדיקן | C-פּנים קמפּ | ||
| סקראַטשיז | ≤5עאַ/מם,קיומיאַלאַטיוו לענג≤2*דיאַמעטער | NA | |
| צוריק חסרונות (ברעג טשיפּס / ינדענטז) | קיינער | ||
| צוריק ראַפנאַס | ראַ≤0.2נם (5μם*5μם) | ||
| צוריק לאַזער מאַרקינג | 1 מם (פון שפּיץ ברעג) | ||
| עדזש | |||
| עדזש | טשאַמפער | ||
| פּאַקקאַגינג | |||
| פּאַקקאַגינג | עפּי-גרייט מיט וואַקוום פּאַקקאַגינג מולטי-ווייפער קאַסעט פּאַקקאַגינג | ||
| * נאָטעס: "NA" מיטל קיין בעטן יטעמס ניט דערמאנט קען אָפּשיקן צו SEMI-STD. | |||
