סעמיסעראַ ס סיליקאָן ניטריד סעראַמיק סאַבסטרייט רעפּראַזענץ די שפּיץ פון אַוואַנסירטע מאַטעריאַל טעכנאָלאָגיע, פּראַוויידינג יקסעפּשאַנאַל טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי און געזונט מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס. דער סאַבסטרייט איז דיזיינד פֿאַר הויך-פאָרשטעלונג אַפּלאַקיישאַנז, יקסעלז אין ינווייראַנמאַנץ וואָס דאַרפן פאַרלאָזלעך טערמאַל פאַרוואַלטונג און סטראַקטשעראַל אָרנטלעכקייַט.
אונדזער סיליקאָן ניטריד סעראַמיק סאַבסטרייטז זענען דיזיינד צו וויטסטאַנד עקסטרעם טעמפּעראַטורעס און האַרב טנאָים, מאכן זיי ידעאַל פֿאַר הויך-מאַכט און הויך-אָפטקייַט עלעקטראָניש דעוויסעס. זייער העכער טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי ינשורז עפעקטיוו היץ דיסיפּיישאַן, וואָס איז קריטיש פֿאַר מיינטיינינג די פאָרשטעלונג און לאָנדזשעוואַטי פון עלעקטראָניש קאַמפּאָונאַנץ.
די היסכייַוועס צו קוואַליטעט פון Semicera איז קענטיק אין יעדער סיליקאָן ניטריד סעראַמיק סאַבסטרייט וואָס מיר פּראָדוצירן. יעדער סאַבסטרייט איז מאַניאַפאַקטשערד מיט די מערסט מאָדערן פּראַסעסאַז צו ענשור קאָנסיסטענט פאָרשטעלונג און מינימאַל חסרונות. דער הויך מדרגה פון פּינטלעכקייַט שטיצט די שטרענג פאדערונגען פון ינדאַסטריז אַזאַ ווי אָטאַמאָוטיוו, עראָוספּייס און טעלאַקאַמיונאַקיישאַנז.
אין אַדישאַן צו זייער טערמאַל און מעטשאַניקאַל בענעפיץ, אונדזער סאַבסטרייץ פאָרשלאָגן ויסגעצייכנט עלעקטריקאַל ינסאַליישאַן פּראָפּערטיעס, וואָס ביישטייערן צו די קוילעלדיק רילייאַבילאַטי פון דיין עלעקטראָניש דעוויסעס. דורך רידוסינג עלעקטריקאַל ינטערפיראַנס און ימפּרוווינג קאָמפּאָנענט פעסטקייַט, סעמיסעראַ ס סיליציום ניטריד סעראַמיק סאַבסטרייטז שפּילן אַ קריטיש ראָלע אין אָפּטימיזינג מיטל פאָרשטעלונג.
טשאָאָסינג די סיליציום ניטריד סעראַמיק סאַבסטרייט פון Semicera מיטל ינוועסטינג אין אַ פּראָדוקט וואָס דיליווערז ביידע הויך פאָרשטעלונג און געווער. אונדזער סאַבסטרייץ זענען ענדזשאַנירד צו טרעפן די באדערפענישן פון אַוואַנסירטע עלעקטראָניש אַפּלאַקיישאַנז, ינשורינג אַז דיין דעוויסעס נוץ פון קאַטינג-ברעג מאַטעריאַל טעכנאָלאָגיע און יקסעפּשאַנאַל רילייאַבילאַטי.
| זאכן | פּראָדוקציע | פאָרשונג | דאַמי |
| קריסטאַל פּאַראַמעטערס | |||
| פּאָליטיפּע | 4H | ||
| ייבערפלאַך אָריענטירונג טעות | <11-20 >4±0.15° | ||
| עלעקטריקאַל פּאַראַמעטערס | |||
| דאָפּאַנט | n-טיפּ ניטראָגען | ||
| רעסיסטיוויטי | 0.015-0.025 אָהם · סענטימעטער | ||
| מעטשאַניקאַל פּאַראַמעטערס | |||
| דיאַמעטער | 150.0±0.2מם | ||
| גרעב | 350±25 μם | ||
| ערשטיק פלאַך אָריענטירונג | [1-100]±5° | ||
| ערשטיק פלאַך לענג | 47.5±1.5מם | ||
| צווייטיק פלאַך | קיינער | ||
| TTV | ≤5 μם | ≤10 μם | ≤15 μם |
| LTV | ≤3 μם (5 מם * 5 מם) | ≤5 μם (5 מם * 5 מם) | ≤10 μם (5 מם * 5 מם) |
| בויגן | -15μם ~ 15μם | -35μם ~ 35μם | -45μם ~ 45μם |
| וואָרפּ | ≤35 μם | ≤45 μם | ≤55 μם |
| פראָנט (סי-פּנים) ראַפנאַס (אַפם) | ראַ≤0.2נם (5μם*5μם) | ||
| סטרוקטור | |||
| מיקראָפּיפּע געדיכטקייַט | <1 עאַ / סענטימעטער2 | <10 עאַ/קם2 | <15 עאַ / סענטימעטער2 |
| מעטאַל ימפּיוראַטיז | ≤5ע10אַטאָמס/קם2 | NA | |
| BPD | ≤1500 עאַ/קם2 | ≤3000 עאַ/קם2 | NA |
| TSD | ≤500 עאַ/קם2 | ≤1000 עאַ / סענטימעטער2 | NA |
| פראָנט קוואַליטי | |||
| פראָנט | Si | ||
| ייבערפלאַך ענדיקן | סי-פּנים קמפּ | ||
| פּאַרטיקאַלז | ≤60 עאַ / וואַפער (גרייס ≥0.3μם) | NA | |
| סקראַטשיז | ≤5עאַ/מם. קיומיאַלאַטיוו לענג ≤דיאַמעטער | קיומיאַלאַטיוו לענג≤2*דיאַמעטער | NA |
| מאַראַנץ שאָלעכץ / פּיץ / סטאַינס / סטרייישאַנז / קראַקס / קאַנטאַמאַניישאַן | קיינער | NA | |
| ברעג טשיפּס / ינדענץ / בראָך / העקס פּלאַטעס | קיינער | ||
| פּאָליטיפּע געביטן | קיינער | קיומיאַלאַטיוו שטח≤20% | קיומיאַלאַטיוו שטח≤30% |
| פראָנט לאַזער מאַרקינג | קיינער | ||
| צוריק קוואַליטי | |||
| צוריק ענדיקן | C-פּנים קמפּ | ||
| סקראַטשיז | ≤5עאַ/מם,קיומיאַלאַטיוו לענג≤2*דיאַמעטער | NA | |
| צוריק חסרונות (ברעג טשיפּס / ינדענטז) | קיינער | ||
| צוריק ראַפנאַס | ראַ≤0.2נם (5μם*5μם) | ||
| צוריק לאַזער מאַרקינג | 1 מם (פון שפּיץ ברעג) | ||
| עדזש | |||
| עדזש | טשאַמפער | ||
| פּאַקקאַגינג | |||
| פּאַקקאַגינג | עפּי-גרייט מיט וואַקוום פּאַקקאַגינג מולטי-ווייפער קאַסעט פּאַקקאַגינג | ||
| * נאָטעס: "NA" מיטל קיין בעטן יטעמס ניט דערמאנט קען אָפּשיקן צו SEMI-STD. | |||
