אַדוואַנטאַגעס
הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל
ויסגעצייכנט קעראָוזשאַן קעגנשטעל
גוט אַברייזשאַן קעגנשטעל
הויך קאָואַפישאַנט פון היץ קאַנדאַקטיוואַטי
זיך-לובריסיטי, נידעריק געדיכטקייַט
הויך כאַרדנאַס
קאַסטאַמייזד פּלאַן.
אַפּפּליקאַטיאָנס
- טראָגן-קעגנשטעליק פעלד: בושינג, טעלער, סאַנדבלאַסטינג נעזל, סיקלאָון ונטערשלאַק, גרינדינג פאַס, עטק ...
-הויך טעמפּעראַטור פעלד: סיק פּלאַטע, קווענטשינג אויוון רער, שטראַלנדיק רער, קרוסאַבאַל, באַהיצונג עלעמענט, וואַל, שטראַל, היץ יקסטשיינדזשער, קאלטקייט לופט רער, בורנער נעזל, טהערמאָקאָופּלע פּראַטעקשאַן רער, סיק שיפל, קילן מאַשין סטרוקטור, סעטער, עטק.
- סיליציום קאַרבידע סעמיקאַנדאַקטער: סיק ווייפער שיפל, סיק טשאַק, סיק רודער, סיק קאַסעט, סיק דיפיוזשאַן רער, ווייפער גאָפּל, סאַקשאַן טעלער, גיידוויי, עטק.
- סיליציום קאַרבידע פּלאָמבע פעלד: אַלע מינים פון סילינג רינג, שייַכעס, בושינג, עטק.
-פאָטאָוואָלטאַיק פעלד: קאַנטילעווער רודער, גרינדינג פאַס, סיליציום קאַרבידע וואַל, עטק.
- ליטהיום באַטערי פעלד
גשמיות פּראָפּערטיעס פון סיק
| פאַרמאָג | ווערט | מעטאָד |
| געדיכטקייַט | 3.21 ג/קק | זינקען-פלאָוט און ויסמעסטונג |
| ספּעציפיש היץ | 0.66 דזש/ג °ק | פּאַלסעד לאַזער בליץ |
| פלעקסוראַל שטאַרקייַט | 450 מפּאַ 560 מפּאַ | 4 פונט בייגן, RT4 פונט בייגן, 1300 ° |
| בראָך טאַפנאַס | 2.94 מפּאַ מ1/2 | מיקראָינדענטאַטיאָן |
| כאַרדנאַס | 2800 | וויקער ס, 500 ג מאַסע |
| עלאַסטיק מאָדולוס יאָנג ס מאָדולע | 450 גפּאַ 430 גפּאַ | 4 פּט בייגן, RT4 פּט בייגן, 1300 °C |
| קערל גרייס | 2 – 10 μם | SEM |
טערמאַל פּראָפּערטיעס פון סיק
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | 250 וו/מ °ק | לייזער בליץ אופֿן, רט |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 4.5 X 10-6 °K | צימער טעמפּעראַטור צו 950 °C, סיליקאַ דילאַטאָמעטער |
טעכניש פּאַראַמעטערס
| נומער | אַפּאַראַט | דאַטאַ | ||||
| RBSiC (SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| SiC אינהאַלט | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| פֿרייַ סיליציום אינהאַלט | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| מאַקסימום דינסט טעמפּעראַטור | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| געדיכטקייַט | ג / סענטימעטער3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| עפענען פּאָראָסיטי | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| בענדינג שטאַרקייַט 20℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| בענדינג שטאַרקייַט 1200 ℃ | Мpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| ילאַסטיסאַטי מאָדולע 20℃ | גפּאַ | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| ילאַסטיסאַטי מאָדולע 1200 ℃ | גפּאַ | 300 | / | / | 200 | / |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי 1200 ℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| קאָעפפיסיענט פון טערמאַל יקספּאַנשאַן | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | קג/מm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
די CVD סיליציום קאַרבידע קאָוטינג אויף די ויסווייניקסט ייבערפלאַך פון רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע סעראַמיק פּראָדוקטן קענען דערגרייכן אַ ריינקייַט פון מער ווי 99.9999% צו טרעפן די באדערפענישן פון קאַסטאַמערז אין די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע.
