באַשרייַבונג
אונדזער געזעלשאַפט גיטSiC קאָוטינגפּראָצעס סערוויסעס דורך CVD אופֿן אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט סיק מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס.SiC פּראַטעקטיוו שיכטע.
הויפּט פֿעיִקייטן
1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:
די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז ווי הויך ווי 1600 C.
2. הויך ריינקייַט: געמאכט דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אונטער הויך טעמפּעראַטור קלאָראַניישאַן צושטאַנד.
3. יראָוזשאַן קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.
הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD פּראָפּערטיעס | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע | |
| געדיכטקייַט | ג/קם ³ | 3.21 |
| כאַרדנאַס | וויקקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| קערל גרייס | μm | 2~10 |
| כעמישער ריינקייַט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַסיטי | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פעלעקסוראַל שטאַרקייַט | מפּאַ (רט 4-פונט) | 415 |
| יונג ס מאָדולע | גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) | 430 |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6ק-1 | 4.5 |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | (וו/מק) | 300 |
עקוויפּמענט
-
גראַפיטע סאַספּעקטער מיט סיליציום קאַרבידע קאָאַטין ...
-
טערמאַל פעלד מאַטעריאַל פֿאַר סיליציום קאַרבידע קרייז ...
-
עפּי 3 1/4 ″ פאַס רעאַקטאָר
-
SiC שטיפט טאַץ פֿאַר ICP עטשינג פּראַסעסאַז אין די ...
-
סיק קאָוטאַד סוסעפּטאָר פֿאַר טיף ווו-געפירט
-
סיק-קאָוטאַד סעמיקאַנדאַקטער עפּיטאַקסיאַל רעאַקטאָר פֿאַר ...