באַשרייַבונג
אונדזער פירמע פּראָווידעס SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגס דורך CVD אופֿן אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט סיק מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס, פאָרמינג סיק פּראַטעקטיוו שיכטע.
הויפּט פֿעיִקייטן
1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל: די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז ווי הויך ווי 1600 סי.
2. הויך ריינקייַט: געמאכט דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אונטער הויך טעמפּעראַטור קלאָראַניישאַן צושטאַנד.
3. יראָוזשאַן קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.
הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD פּראָפּערטיעס | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע | |
| געדיכטקייַט | ג/קם ³ | 3.21 |
| כאַרדנאַס | וויקקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| קערל גרייס | μm | 2~10 |
| כעמישער ריינקייַט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַסיטי | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פעלעקסוראַל שטאַרקייַט | מפּאַ (רט 4-פונט) | 415 |
| יונג ס מאָדולע | גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) | 430 |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6ק-1 | 4.5 |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | (וו/מק) | 300 |
-
גראַפיטע כיטער הייס זאָנע / גראַפיטע הייס פעלד, קאַ ...
-
SiC שטיפט טאַץ פֿאַר ICP עטשינג פּראַסעסאַז אין די ...
-
האַלב פּאַרץ פֿאַר SiC עפּיטאַקסיאַל ויסריכט
-
קאַרבידע-קאָוטאַד רעאַקטאָר פאַס רעאַקטאָר
-
סיק קאָוטאַד גראַפיטע פאַס פֿאַר עפּיטאַקסיאַל גראָוט
-
סיק-קאָוטאַד סעמיקאַנדאַקטער עפּיטאַקסיאַל רעאַקטאָר פֿאַר ...