אונדזער געזעלשאַפט גיטSiC קאָוטינגפּראָצעס סערוויסעס אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס דורך CVD אופֿן, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום קענען רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך-ריינקייַט סיק מאַלאַקיולז, וואָס קענען זיין דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס צו פאָרעם אַSiC פּראַטעקטיוו שיכטעפֿאַר פאַס טיפּ הי פּנאָטיק.
הויפּט פֿעיִקייטן:
1 .הויך ריינקייַט סיק קאָוטאַד גראַפייט
2. העכער היץ קעגנשטעל & טערמאַל יונאַפאָרמאַטי
3. פייןסיק קריסטאַל קאָוטאַדפֿאַר אַ גלאַט ייבערפלאַך
4. הויך געווער קעגן כעמישער רייניקונג
הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פוןCVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD פּראָפּערטיעס | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע | |
| געדיכטקייַט | ג/קם ³ | 3.21 |
| כאַרדנאַס | וויקקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| קערל גרייס | μm | 2~10 |
| כעמישער ריינקייַט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַסיטי | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פעלעקסוראַל סטרענגטה | מפּאַ (רט 4-פונט) | 415 |
| יונג ס מאָדולע | גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) | 430 |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6ק-1 | 4.5 |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | (וו/מק) | 300 |
-
צווייטע העלפט פּאַרץ פֿאַר נידעריקער באַפאַלז אין עפּיטאַקסיאַ ...
-
סיק קאָוטאַד גראַפיטע באַזע סוססעפּטאָרס פֿאַר MOCVD
-
סיליציום קאַרבידע סיק קאָוטאַד עפּיטאַקסיאַל רעאַקטאָר באַ ...
-
SiC שפּילקע טרייַס פֿאַר ICP עטשינג פּראַסעסאַז אין די ...
-
סיק קאָוטאַד סוסעפּטאָר פֿאַר טיף ווו-געפירט
-
הויך ריינקייַט טאַנטאַלום קאַרבידע פּראָדוקט קוסטאָמיזאַטיאָן