באַשרייַבונג
אונדזער פירמע פּראָווידעס SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגס דורך CVD אופֿן אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט סיק מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס, פאָרמינג סיק פּראַטעקטיוו שיכטע.
הויפּט פֿעיִקייטן
1 .הויך ריינקייַט סיק קאָוטאַד גראַפייט
2. העכער היץ קעגנשטעל & טערמאַל יונאַפאָרמאַטי
3. פיין סיק קריסטאַל קאָוטאַד פֿאַר אַ גלאַט ייבערפלאַך
4. הויך געווער קעגן כעמישער רייניקונג
הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD פּראָפּערטיעס | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע | |
| געדיכטקייַט | ג/קם ³ | 3.21 |
| כאַרדנאַס | וויקקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| קערל גרייס | μm | 2~10 |
| כעמישער ריינקייַט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַסיטי | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פעלעקסוראַל שטאַרקייַט | מפּאַ (רט 4-פונט) | 415 |
| יונג ס מאָדולע | גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) | 430 |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6ק-1 | 4.5 |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | (וו/מק) | 300 |
-
סיליציום עפּיטאַקסיאַל דעפּאַזישאַן אין פאַס סאַססעפּטאָר
-
גראַפיטע סאַסעפּטאָר מיט סיליציום קאַרבידע קאָוטינג ...
-
סיליציום קאַרבידע קאָוטאַד עפּיטאַקסיאַל רעאַקטאָר פאַס
-
CVD עפּיטאַקסיאַל דעפּאַזישאַן אין עפּיטאַקסי רעאַקטאָר סיסטעם
-
הויך קוואַליטעט טאַנטאַלום קאַרבידע (טאַק) קאָוטינג
-
האַלב פּאַרץ פּויק פּראָדוקטן עפּיטאַקסיאַל טייל