GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|גאַלליום אַרסענידע סאַבסטרייט

GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Gallium Arsenide Substrates Featured Image

קורץ באַשרייַבונג:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. איז אַ לידינג סאַפּלייער וואָס ספּעשאַלייזיז אין ווייפער און אַוואַנסירטע סעמיקאַנדאַקטער קאָנסומאַבלעס.מיר זענען דעדאַקייטאַד צו צושטעלן הויך-קוואַליטעט, פאַרלאָזלעך און ינאַווייטיוו פּראָדוקטן צו סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג, פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע און אנדערע פֿאַרבונדענע פעלדער.

אונדזער פּראָדוקט שורה ינקלודז סיק / טאַק קאָוטאַד גראַפיטע פּראָדוקטן און סעראַמיק פּראָדוקטן, אַרייַנגערעכנט פאַרשידן מאַטעריאַלס אַזאַ ווי סיליציום קאַרבידע, סיליציום ניטריד, און אַלומינום אַקסייד און עטק.

דערווייַל, מיר זענען דער בלויז פאַבריקאַנט צו צושטעלן ריינקייַט פון 99.9999% סיק קאָוטינג און 99.9% ריקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע.די מאַקסימום סייק קאָוטינג לענג מיר קענען טאָן 2640 מם.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

גאַאַס סאַבסטרייץ זענען צעטיילט אין קאַנדאַקטיוו און האַלב-ינסאַלייטינג, וואָס זענען וויידלי געניצט אין לאַזער (לד), סעמיקאַנדאַקטער ליכט-ימיטינג דייאָוד (געפירט), נאָענט-ינפרערעד לאַזער, קוואַנטום געזונט הויך-מאַכט לאַזער און הויך-עפעקטיווקייַט זונ - פּאַנאַלז.HEMT און HBT טשיפּס פֿאַר ראַדאַר, מייקראַווייוו, מילאַמיטער כוואַליע אָדער הינטער-הויך-גיכקייַט קאָמפּיוטערס און אָפּטיש קאָמוניקאַציע;ראַדיאָ אָפטקייַט דעוויסעס פֿאַר וויירליס קאָמוניקאַציע, 4G, 5G, סאַטעליט קאָמוניקאַציע, WLAN.

לעצטנס, גאַליום אַרסענידע סאַבסטרייץ האָבן אויך געמאכט גרויס פּראָגרעס אין מיני-געפירט, מיקראָ-געפירט און רויט געפירט, און זענען וויידלי געניצט אין AR / וור וועראַבאַל דעוויסעס.

דיאַמעטער 晶片直径	50 מם \|75 מם \|100מם \|150 מם
גראָוט מעטאַד 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
ווייפער גרעב 厚度	350 um ~ 625 um
אָריענטירונג 晶向	<100> / <111> / <110> אָדער אנדערע
קאַנדאַקטיוו טיפּ 导电类型	P – טיפּ / N – טיפּ / האַלב-ינסאַלייטינג
טיפּ / דאָפּאַנט 掺杂剂	זן / סי / אַנדאָפּעד
קאַריער קאַנסאַנטריישאַן 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 סענטימעטער-3
רעסיסטיוויטי ביי RT 室温电阻率(אָהם•קם)	≥1E7 פֿאַר SI
מאָביליטי 迁移率(cm2/V•Sec)	≥4000
EPD (עטש גרוב געדיכטקייַט) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 um
בויגן / וואָרפּ 翘曲度	≤ 20 um
ייבערפלאַך ענדיקן 表面	דספּ / סספּ
לאַזער מארק 激光码
גראַדע 等级	עפּי פּאַלישט מיינונג / מעטשאַניקאַל מיינונג