סיליציום קאַרבידע (SiC) איין קריסטאַל מאַטעריאַל האט אַ גרויס באַנד ריס ברייט (~ סי 3 מאל), הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (~ סי 3.3 מאל אָדער GaAs 10 מאל), הויך עלעקטראָן זעטיקונג מייגריישאַן קורס (~ סי 2.5 מאל), הויך ברייקדאַון עלעקטריק פעלד (~ סי 10 מאל אָדער גאַאַס 5 מאל) און אנדערע בוילעט קעראַקטעריסטיקס.
סיק דעוויסעס האָבן יראַפּלייסאַבאַל אַדוואַנטידזשיז אין די פעלד פון הויך טעמפּעראַטור, הויך דרוק, הויך אָפטקייַט, הויך מאַכט עלעקטראָניש דעוויסעס און עקסטרעם ינווייראַנמענאַל אַפּלאַקיישאַנז אַזאַ ווי עראָוספּייס, מיליטעריש, יאָדער ענערגיע, אאז"ו ו. אַפּלאַקיישאַנז, און ביסלעכווייַז ווערן די מיינסטרים פון מאַכט סעמיקאַנדאַקטערז.
4H-SiC סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט ספּעסאַפאַקיישאַנז
| נומער项目 | ספּעסאַפאַקיישאַנז参数 | |
| פּאָליטיפּע | 4ה -סיק | 6H- SiC |
| דיאַמעטער | 2 אינטש |3 אינטש |4 אינטש |6 אינטש | 2 אינטש |3 אינטש |4 אינטש |6 אינטש |
| גרעב | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| קאַנדאַקטיוואַטי | N – טיפּ / האַלב-ינסאַלייטינג | N – טיפּ / האַלב-ינסאַלייטינג |
| דאָפּאַנט | N2 (ניטראָגען) V (וואַנאַדיום) | N2 (ניטראָגען) V (וואַנאַדיום) |
| אָריענטירונג | אויף אַקס <0001> | אויף אַקס <0001> |
| רעסיסטיוויטי | 0.015 ~ 0.03 אָום-סענטימעטער | 0.02 ~ 0.1 אָום-סענטימעטער |
| מיקראָפּיפּע דענסיטי (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| TTV | ≤ 15 μם | ≤ 15 μם |
| בויגן / וואָרפּ | ≤25 μם | ≤25 μם |
| ייבערפלאַך | דספּ / סספּ | דספּ / סספּ |
| גראַדע | פּראָדוקציע / פאָרשונג מיינונג | פּראָדוקציע / פאָרשונג מיינונג |
| קריסטאַל סטאַקינג סיקוואַנס | ABCB | ABCABC |
| לאַטאַס פּאַראַמעטער | a=3.076A, c=10.053A | a=3.073A, c=15.117A |
| למשל / eV (באַנד-ריס) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε (דיעלעקטריק קעסיידערדיק) | 9.6 | 9.66 |
| רעפראַקטיאָן אינדעקס | n0 =2.719 נע =2.777 | n0 =2.707, נע =2.755 |
6H-SiC סיליציום קאַרבידע סאַבסטרייט ספּעסאַפאַקיישאַנז
| נומער项目 | ספּעסאַפאַקיישאַנז参数 |
| פּאָליטיפּע | 6H-SiC |
| דיאַמעטער | 4 אינטש |6 אינטש |
| גרעב | 350μם ~ 450μם |
| קאַנדאַקטיוואַטי | N – טיפּ / האַלב-ינסאַלייטינג |
| דאָפּאַנט | N2 (ניטראָגען) |
| אָריענטירונג | <0001> אַוועק 4°± 0.5° |
| רעסיסטיוויטי | 0.02 ~ 0.1 אָום-סענטימעטער |
| מיקראָפּיפּע דענסיטי (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| TTV | ≤ 15 μם |
| בויגן / וואָרפּ | ≤25 μם |
| ייבערפלאַך | מיט פּנים: קמפּ, עפּי-גרייט |
| גראַדע | פאָרשונג מיינונג |
