באַשרייַבונג
אונדזער געזעלשאַפט גיטSiC קאָוטינגפּראָצעס סערוויסעס אויף די ייבערפלאַך פון גראַפייט, סעראַמיקס און אנדערע מאַטעריאַלס דורך CVD אופֿן, אַזוי אַז ספּעציעל גאַסאַז מיט טשאַד און סיליציום קענען רעאַגירן אין הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך-ריינקייַט סיק מאַלאַקיולז, וואָס קענען זיין דאַפּאַזיטיד אויף די ייבערפלאַך פון קאָוטאַד מאַטעריאַלס צו פאָרעם אַSiC פּראַטעקטיוו שיכטעפֿאַר עפּיטאַקסי פאַס טיפּ הי פּנאָטיק.
הויפּט פֿעיִקייטן
1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:
די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז ווי הויך ווי 1600 C.
2. הויך ריינקייַט: געמאכט דורך כעמישער פארע דעפּאַזישאַן אונטער הויך טעמפּעראַטור קלאָראַניישאַן צושטאַנד.
3. יראָוזשאַן קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, סאָליד ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַניק רייידזשאַנץ.
הויפּט ספּעסאַפאַקיישאַנז פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD פּראָפּערטיעס | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע | |
| געדיכטקייַט | ג/קם ³ | 3.21 |
| כאַרדנאַס | וויקקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| קערל גרייס | μm | 2~10 |
| כעמישער ריינקייַט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַסיטי | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פעלעקסוראַל שטאַרקייַט | מפּאַ (רט 4-פונט) | 415 |
| יונג ס מאָדולע | גפּאַ (4 פּקט בייגן, 1300 ℃) | 430 |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6ק-1 | 4.5 |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | (וו/מק) | 300 |
